摘要：安森美的新款 FGY100T120RWD 和 FGY75T120SWD 1200 V Trench Field Stop VII (FS7) IGBT 用于将输入升压至高压（升压级），逆变器在高开关频率能源基础设施应用中提供交流输出。FS7 器件的低开关损耗可

安森美1200V Field Stop 7 (FS7) 分立 IGBT

采用第 7 代 IGBT 技术

安森美的新款 FGY100T120RWD 和 FGY75T120SWD 1200 V Trench Field Stop VII (FS7) IGBT 用于将输入升压至高压（升压级），逆变器在高开关频率能源基础设施应用中提供交流输出。FS7 器件的低开关损耗可实现更高的开关频率，从而减小磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系统成本。

对于高功率能源基础设施应用，FS7 器件的正温度系数可轻松实现并行操作。

安森美的 FS7 器件包括高速 (S 系列) 和中速 (R 系列)。所有器件均包含一个专为低正向电压而优化的二极管、经过调节的开关软度，并且可以在高达 175°C 的结温 (TJ) 下工作。在目前市场上可用的 1200 V IGBT 中，S 系列器件（如 FGY75T120SWD）提供了出色的开关性能。这款高度坚固的 IGBT 器件经过高达额定值 7 倍的电流测试，提供优异的抗闭锁能力。R 系列针对中速开关应用进行了优化，例如传导损耗占主导地位的电机控制和固态继电器。FGY100T120RWD 在 100A 时的 VCESAT 低至 1.45 V，比上一代器件降低了 0.4 V。

R系列

专为中速开关应用而优化的设计

伺服电机

数据中心

低 Vcesat

短路额定值

高耐用性

专为低正向电压而优化的二极管

专为快速开关应用而优化的设计

太阳能逆变器

能量存储

低 Eon + Eoff

坚固耐用，在高达额定值 7 倍的电流下无闭锁

专为低正向电压而优化的二极管

FS7 器件提供多种封装样式，包括 TO247-3L、TO247-4L、Power TO247-3L 和裸片，为设计人员提供灵活性和各种设计选择。可提供 25A 至 160A 的额定电流。

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来源：汽车小分队