摘要：金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，紫光同芯微电子有限公司申请一项名为“一种 SRAM 保护电路、方法及芯片”的专利，公开号 CN 119296627 A，申请日期为 2024 年 9 月。

金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，紫光同芯微电子有限公司申请一项名为“一种 SRAM 保护电路、方法及芯片”的专利，公开号 CN 119296627 A，申请日期为 2024 年 9 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种 SRAM 保护电路、方法及芯片。其中，SRAM 保护电路包括：MBIST 控制电路、DFLASH、ECC 生成电路、故障地址记录电路、MUX 选通电路以及或门，还包括：ECC 检测电路、MBIST 结果电路、Remap 电路以及故障地址比较电路；SRAM 存储区域包括第一数据存储区域和第二数据存储区域。本发明实施例可以基于 ECC 检测电路、MBIST 控制电路故障地址比较电路以及 Remap 电路全面地准确地检测 SRAM 中的存储区域是否失效，对失效的存储区域进行处理，用空白的存储区域替换永久失效的用于存储数据的存储区域。

天眼查资料显示，紫光同芯微电子有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100000万人民币，实缴资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，紫光同芯微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目41次，知识产权方面有商标信息37条，专利信息773条，此外企业还拥有行政许可6个。

来源：金融界