摘要：受益于AI算力和高阶应用持续升温，日商三菱瓦斯化学发出通知，因Low CTE玻纤布短缺、订单需求暴增，导致部分厚度仅0.04或0.06mm的BT材料（NS／NSF Low CTE Glass）交期已达16-20周，为过往正常交期的2倍以上。此外，日商力森诺科也

受益于AI算力和高阶应用持续升温，日商三菱瓦斯化学发出通知，因Low CTE玻纤布短缺、订单需求暴增，导致部分厚度仅0.04或0.06mm的BT材料（NS／NSF Low CTE Glass）交期已达16-20周，为过往正常交期的2倍以上。此外，日商力森诺科也同传出缺货问题

Low CTE 玻纤布的定义

Low CTE 玻纤布（低热膨胀系数玻璃纤维布）是一种通过特殊配方（如调整 SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃等成分比例）和工艺制成的电子级材料，其核心特性是热膨胀系数（CTE）极低，通常可低至 2.7-3.4×10⁻⁶/°C，接近硅基芯片的 3ppm/°C。除了低热膨胀性，它还需满足 ** 低介电损耗（Low Df）** 和高弹性模量（≥93GPa）等严苛指标，以保障芯片在高频信号传输和极端温度下的稳定性。例如，宏和科技的 Low CTE 产品已通过苹果认证，其 0.03mm 级超薄布的 CTE 值为 3.4ppm/°C，介电常数（Dk）低至 4.7（10GHz），同时兼顾平整度和抗热变形能力。

Low CTE 玻纤布在 AI 中的应用

Low CTE 玻纤布是 AI 硬件中高端芯片封装基板的核心材料，具体应用场景包括：

AI 服务器与数据中心：用于 GPU（如英伟达 H100/H200）、CPU、ASIC 等芯片的封装基板，解决芯片堆叠后的散热问题和封装稳定性。例如，CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）先进封装工艺对基板的平整度和热稳定性要求极高，Low CTE 玻纤布是其关键支撑材料。

存储芯片封装：NAND、DRAM 及 HBM（高带宽内存）等存储芯片的封装基板需使用 Low CTE 玻纤布，以应对高密度堆叠和高速数据传输带来的热应力挑战。

高端消费电子：苹果 iPhone 17 系列的 A19 芯片封装基板、射频模组及摄像头基板均依赖 Low CTE 玻纤布，其缺货已导致苹果供应链危机。

通信设备：6G 基站、800G 交换机等高频设备的 PCB 基板也需要 Low CTE 玻纤布来降低信号损耗和热变形。

两家日本公司的行业地位

1. 三菱瓦斯化学（MGC）

全球 BT 材料霸主：作为 BT 树脂（双马来酰亚胺三嗪树脂）的发明者和专利持有者，MGC 占据全球 BT 材料市场超过 50% 的份额，尤其在高阶封装基板（SBT）领域处于垄断地位。其 BT 材料（如 NS/NSF 系列）具有高玻璃化温度（Tg≥250°C）、低介电损耗（Df≤0.002）和极低 CTE，是英伟达 GPU、苹果 A 系列芯片等高端产品的核心供应商。

技术壁垒与产能瓶颈：MGC 的 BT 材料生产高度依赖自主研发的 Low CTE 玻纤布，其 0.04mm 和 0.06mm 厚度产品的交期已从 8 周延长至 16-20 周，成为限制全球高阶封装基板产能的关键瓶颈。

产业链整合能力：MGC 通过垂直整合（从玻纤原纱到 BT 树脂）巩固技术优势，同时与台系载板厂（如欣兴、南电）深度绑定，掌控 AI 芯片封装材料的核心供应链。

2. 力森诺科（Resonac）

半导体材料全能选手：由昭和电工与日立化成合并而成的 Resonac，是全球半导体封装材料领域的隐形冠军。其环氧模塑料（EMC）、干膜光刻胶（DFR）等产品市占率位居全球前列，2024 财年半导体与电子材料事业部销售额同比激增 32% 至 4451 亿日元。

BT 材料关键供应商：Resonac 与 MGC 共同主导全球 BT 材料市场，其产品广泛应用于存储芯片、逻辑芯片的封装基板。2025 年因订单暴增和原料短缺，其 BT 材料交期同样延长至 6 周以上，加剧了 AI 硬件供应链的紧张。

技术多元化布局：除 BT 材料外，Resonac 在半导体光刻胶、CMP 材料、电子化学品等领域均有突破，是台积电、三星等晶圆厂的核心供应商，其技术实力和市场份额使其成为全球半导体材料领域的 “不可替代者”。

行业影响与趋势

Low CTE 玻纤布的短缺已引发全球 AI 硬件供应链震荡。例如，苹果 iPhone 17 因材料不足被迫调整产能优先级，而英伟达 H200 GPU 的量产也面临基板供应延迟。为缓解依赖，中国厂商如宏和科技、中国巨石正加速技术突破，宏和科技的 0.03mm 超薄布已通过苹果认证，中国巨石的 E9 超高模量玻纤纱进入英伟达供应链。但短期内，日本企业仍将主导高端市场，而材料 “卡脖子” 问题可能推动全球产业链加速多元化布局。

全球具备产能优势的 Low CTE 玻纤布企业

在产能紧缺的背景下，全球 Low CTE 玻纤布市场呈现高度集中化格局，日本企业占据主导地位，但中国企业正加速突破。以下是主要参与者的产能与技术特点：

1. 日本旭化成（Asahi Kasei）

产能地位：全球超薄 Low CTE 玻纤布市场份额约 50%，与宏和科技共同主导 0.03mm 级极薄布市场。

技术优势：其 Low CTE 产品通过苹果、英伟达等高端客户认证，热膨胀系数低至 2.7ppm/℃，介电常数（Dk）≤4.5，广泛应用于 CoWoS 封装基板、HBM 存储芯片。

产能瓶颈：2025 年因苹果 iPhone 17 订单激增，0.04mm 和 0.06mm 厚度产品交期延长至 12 周以上，加剧全球供应链紧张。

2. 日本日东纺（Nittobo）

技术壁垒：全球 T-glass 玻纤布的发明者，其产品热膨胀系数≤2.8ppm/℃，专为 ABF 载板设计，供应台积电、三星等晶圆厂。

产能布局：中国台湾工厂年产能约 1.2 亿米，主要供应台系载板厂（如欣兴、南电），2025 年因 AI 服务器需求扩产 30%。

3. 美国 AGY

细分市场：在高模量 Low CTE 玻纤布领域具备技术优势，产品弹性模量≥95GPa，主要应用于航空航天和高端通信设备。

产能现状：年产能约 5000 万米，2025 年因 AI 数据中心需求增长，向英伟达、思科等客户供货量同比提升 40%。

国产突破：全球唯二能批量生产 0.03mm 级超薄 Low CTE 玻纤布的企业，产品通过苹果 MFi 认证，2025 年一季度 AI 服务器订单占比达 35%。

产能扩张：黄石基地新增 1254 吨高性能玻纤纱产能，2025 年电子布总产能预计达 2.5 亿米，其中 Low CTE 产品占比超 60%。

中国上市公司技术储备与产能概况

中国企业在 Low CTE 玻纤布领域已形成 “高端突破、中低端替代” 的格局，以下为核心上市公司的技术与产能进展：

1. 中材科技（002080.SZ）

技术突破：

低膨胀纱线（CTE≤3.0ppm/℃）已通过客户验证，试制出多款低膨胀布，性能对标日东纺 T-glass。

第二代低介电产品（Dk≤3.2）良品率提升至行业前列，月均出货量 200 万米（2025 年目标）。

产能布局：

投资 14.28 亿元建设年产 3500 万米特种玻纤布项目，2025 年预计产能达 2000 万米，其中 Low CTE 产品占比约 40%。

泰山玻纤邹城基地已建成 1 条低膨胀纱线产线，年产能约 800 吨。

下游客户：台光电子、松下、建滔集团，间接供货苹果 iPhone 17 射频模组和华为 Mate 70 系列芯片封装基板。

2. 宏和科技（603256.SH）

技术优势：

0.03mm 超薄 Low CTE 玻纤布（CTE=3.4ppm/℃）通过苹果认证，介电常数（Dk）低至 4.7（10GHz），平整度达 ±3μm。

电子纱自给率提升至 70%，黄石基地实现 “纱 - 布” 一体化生产，成本较外购降低 15%。

产能规模：

2025 年一季度产能利用率 95%，电子布月产能超 200 万米，其中 Low CTE 产品占比超 60%。

拟募资 10 亿元新增高性能玻纤纱产能 1254 吨，预计 2026 年投产，进一步保障高端布供应。

客户结构：台光电子（占比 30%）、松下（占比 25%）、利斯诺克（占比 15%），终端应用于苹果 A19 芯片封装、英伟达 H200 GPU 基板。

3. 中国巨石（600176.SH）

技术突破：

E9 超高模量玻纤纱（CTE=2.5ppm/℃）为全球独家供应，弹性模量≥100GPa，专为 CoWoS 封装基板设计。

电子纱产能占比超 40%，第二代低介电纱线（Dk≤3.0）已进入台系载板厂供应链。

产能布局：

电子纱年产能 27 万吨，其中 Low CTE 纱线占比约 10%，主要供应台光电子、南亚新材。

美国南卡基地规划建设年产 8 万吨电子纱产线，2026 年投产后将直接供货北美 AI 服务器厂商。

下游客户：台系载板厂（欣兴、南电）、华为海思、AMD，E9 纱线用于台积电 CoWoS 封装基板。

行业影响与趋势

供应链重构：

日本企业（三菱瓦斯、旭化成）仍主导高端市场，但中国企业（宏和、中材科技）在 0.03mm 超薄布、低介电产品上已实现突破，逐步替代进口。

苹果、英伟达等客户加速引入中国供应商，宏和科技 2025 年苹果订单占比预计提升至 40%，中国巨石 E9 纱线进入台积电供应链。

产能扩张与技术竞争：

中材科技 3500 万米特种玻纤布项目 2025 年投产，宏和科技黄石基地扩产后 Low CTE 布产能将翻倍，中国巨石 E9 纱线产能计划 2026 年增至 5 万吨。

技术壁垒聚焦于超薄化（≤0.03mm）、低介电（Dk≤3.0）和高频性能（Df≤0.002），中国企业需突破原纱配方和织造工艺瓶颈。

国产化替代机遇：

中国 Low CTE 玻纤布国产化率不足 15%，但宏和科技、中材科技等企业的产品已通过苹果、华为认证，2025 年国产替代率有望提升至 30%。

政策支持下，工信部 “十四五” 新材料专项将 Low CTE 玻纤布列为重点攻关方向，预计 2026 年国产产能占比超 40%。

总结

全球 Low CTE 玻纤布市场呈现 “日企主导、中企追赶” 的格局，日本企业凭借技术壁垒占据高端市场，而中国企业通过产能扩张和技术突破逐步实现替代。中材科技、宏和科技、中国巨石三家公司已在关键领域形成突破，其中宏和科技的 0.03mm 超薄布、中材科技的低膨胀纱线、中国巨石的 E9 超高模量纱线均已进入国际头部客户供应链。随着国产产能释放和技术迭代，中国有望在 2026 年成为全球 Low CTE 玻纤布的重要供应中心。

来源：全产业链研究一点号