联和存储申请 NAND 闪存存储装置及电子设备专利,能够在既定的面积内提升电容器的静电容量

B站影视 2024-12-25 16:02 2

摘要:金融界 2024 年 12 月 25 日消息,国家知识产权局信息显示,联和存储科技(江苏)有限公司申请一项名为“NAND 闪存存储装置及电子设备”的专利,公开号 CN 119173038 A,申请日期为 2024 年 11 月。

金融界 2024 年 12 月 25 日消息,国家知识产权局信息显示,联和存储科技(江苏)有限公司申请一项名为“NAND 闪存存储装置及电子设备”的专利,公开号 CN 119173038 A,申请日期为 2024 年 11 月。

专利摘要显示,本发明涉及半导体器技术领域,具体公开了一种 NAND 闪存存储装置及电子设备,包括:半导体衬底;外围电路包括多个混合晶体管块结构,每个混合晶体管块结构均包括第一导电类型晶体管区域和第二导电类型晶体管区域;第一导电类型晶体管区域包括第一导电类型晶体管结构和第一导电类型晶体管寄生结构,第二导电类型晶体管区域包括第二导电类型晶体管结构和第二导电类型晶体管寄生结构,第一导电类型晶体管结构和第一导电类型晶体管寄生结构共用相同的第二导电类型电极有源层,第二导电类型晶体管结构和第二导电类型晶体管寄生结构共用相同的第一导电类型电极有源层。本发明提供的 NAND 闪存存储装置能够在既定的面积内提升电容器的静电容量。

来源:金融界

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