摘要：对于半导体行业而言，厂房建设一般主要分为四个阶段：设备选型、设备搬入、工艺验证及产品通线。本次设备搬入作为厂房建设发展历程中重要一环，标志着长飞先进武汉基地即将迈入工艺验证新阶段，全面投产正式进入倒计时。

12月18日，长飞先进武汉基地建设再次迎来新进展——项目首批设备搬入仪式于光谷科学岛成功举办，长飞先进总裁陈重国及公司主要领导、嘉宾共同出席见证。

对于半导体行业而言，厂房建设一般主要分为四个阶段：设备选型、设备搬入、工艺验证及产品通线。本次设备搬入作为厂房建设发展历程中重要一环，标志着长飞先进武汉基地即将迈入工艺验证新阶段，全面投产正式进入倒计时。

根据长飞先进发布的新闻，长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

2023年8月25日，长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷。7天后，项目正式启动建设。今年6月，主体结构全面封顶。自2023年9月1日正式破土动工从打下第一根桩到实现结构封顶，厂房建设耗时不到10个月，创造了百亿级投资超大项目建设新速度。

并且，武汉基地项目不仅按照既定节点实现了破土动工和结构封顶，原定设备搬入时间也实现了大幅提前。本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，将为武汉基地构建全链条生产能力、加速通线量产奠定坚实根基。

在致辞环节，长飞先进总裁陈重国表示，首批设备的进驻，标志着武汉基地项目正式进入产能建设新阶段，接下来还将面临工艺验证、产品通线等更多、更难的挑战，目前，长飞先进武汉基地项目正加快推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。

帮你回顾长飞先进的来时路：

公司成立与转型：长飞先进半导体有限公司的前身长飞光纤，成立于1988年。2022年5月，长飞光纤完成了对芜湖启迪半导体有限公司及芜湖太赫兹工程中心有限公司的收购与整合，并更名为安徽长飞先进半导体有限公司，形成了从设计、外延、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。

核心团队建设：长飞先进在短时间内引进了近百名拥有半导体国际大厂背景的核心团队成员，这些成员平均拥有15年以上的行业经验，并计划实现由“Foundry”到“IDM+Foundry”的业务转型。

战略发布会：2023年5月，长飞先进举办了首届战略发布会，明确提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，致力于成为世界领先的宽禁带半导体公司。

武汉基地项目：长飞先进在武汉光谷科学岛启动了第三代半导体功率器件研发生产基地项目，计划建设形成年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块的能力，建设国内最大的SiC功率半导体制造基地。2024年6月18日，武汉基地正式迎来主体结构封顶的关键时刻。

芜湖基地项目：芜湖基地已具有年产6万片SiC MOSFET晶圆制造能力，为芜湖市打造全国第三代半导体产业高地提供了有力支撑。

融资与投资：2023年，长飞先进完成了超38亿元A轮股权融资，创下国内第三代半导体融资规模历史之最，投资方包括光谷金控、浙江国改基金、中平资本等29家投资机构。

技术与产品：长飞先进已形成了从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的完整产业链布局，拥有专业的SiC晶圆代工服务体系以及完整的650V-3300V SiC产品矩阵、自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台。公司15mohm产品比导通电阻 (Ron，sp)已达3.4mQ-mm²，已跻身国际先进水平。

业务转型：2023年7月，长飞先进SiC战略项目(KO) A样品达到预期设计目标，标志着公司拥有车规级SiC MOSFET产品自主研发能力，成功实现从"Foundry"到“IDM”的业务转型。12月，长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiCSBD正式进入试产阶段，标志着公司已具备碳化硅产品自主研发及量产能力。

尽管长飞先进在碳化硅业务上取得了显著的项目进展，设备搬入也标志着其发展迈出了坚实的一步，但面对碳化硅产业日益激烈的市场竞争和技术挑战，长飞仍需在技术创新、市场拓展和国际竞争中不断突破，以确保在这条充满挑战的道路上稳健前行。

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来源：宽禁带联盟