摘要：国家知识产权局信息显示，珠海市一博科技有限公司取得一项名为“一种优化DDR5颗粒扇出信号质量的PCB结构”的专利，授权公告号 CN 222147880 U，申请日期为2024年2月。

金融界2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，珠海市一博科技有限公司取得一项名为“一种优化DDR5颗粒扇出信号质量的PCB结构”的专利，授权公告号 CN 222147880 U，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种优化 DDR5颗粒扇出信号质量的PCB结构，应用于 DDR5拓扑链路的颗粒扇出走线段L3中，包括：PCB板；信号走线，设置在PCB板上，包括若干第一信号走线和若干第二信号走线，第二信号走线为GND信号走线；信号过孔，设置在PCB板上，包括若干第一信号过孔和若干第二信号过孔，第二信号过孔为GND回流孔，第一信号走线与第一信号过孔电连接，GND信号走线与 GND回流孔电连接；其中，相邻两个第一信号过孔之间的中心间距大于0.8mm，每个第一信号过孔的0.8mm中心间距以内至少存在一个GND回流孔。本实用新型不需要增加其他的器件和设计或加工成本，优势非常明显，具有广泛的应用前景。

来源：金融界