摘要：三星电子近日通过第三季度财报首次公开其2nm Gate-All-Around（GAA）工艺的具体性能与效率数据，这一节点较前代3nm GAA提升5%性能、8%功耗效率，并缩小5%芯片面积。该工艺已进入晶圆量产阶段，良率从早期30%逐步攀升至50%-60%，标志

三星电子近日通过第三季度财报首次公开其2nm Gate-All-Around（GAA）工艺的具体性能与效率数据，这一节点较前代3nm GAA提升5%性能、8%功耗效率，并缩小5%芯片面积。该工艺已进入晶圆量产阶段，良率从早期30%逐步攀升至50%-60%，标志着三星在先进制程上的稳步推进。Exynos 2600处理器将成为首款采用2nm GAA的芯片，预计2026年搭载于Galaxy S26系列，初期月产能仅1.5万片晶圆，聚焦有限规模验证。

Samsung 2nm GAA 工艺

从工程路径看，这一增益源于GAA晶体管的第三代迭代，纳米片场效应晶体管（nanosheet FET）设计包围通道四面，显著减少电流泄漏。相比传统FinFET，GAA在2nm节点下晶体管密度提升约1.3倍，确保高负载下的热稳定性。财报强调，这一数据基于内部基准测试，实际应用中性能浮动取决于设计优化，如Exynos 2600的集成将优先AI与多媒体负载。

三星2nm GAA的5%性能跃升主要通过时钟频率微调实现，主频较3nm提升约150MHz，而8%效率改善得益于低阈值电压优化，峰值功耗从3nm的120W降至110W以内。面积缩减5%则源于布线层精简，减少互连延迟至2ns以下。这种渐进式升级低于此前预期——早期估算曾达12%性能与25%效率——反映出良率权衡下的保守策略。测试显示，在SPECint基准下，2nm芯片多核分数超3nm 7%，特别适用于高性能计算场景。

工程细节上，三星引入Heat Pass Block（HPB）技术，作为类似笔记本散热器的被动块，进一步隔离热源，确保Exynos 2600在4K渲染时温度峰值控制在45°C。相比台积电的N2节点（预计2025年底量产，性能增10%、效率15%），三星的GAA经验（早在3nm引入）提供架构优势，但初期产能瓶颈或限制客户扩展。

2nm GAA的量产起步于2025年下半年，第一代SF2节点聚焦Exynos 2600，第二代SF2P设计已完成，预计2026年跟进，提供12%性能、25%效率与8%面积优化。三星目标年底良率达70%，通过算法辅助缺陷映射与DUV光刻补偿推进。订单方面，已锁定MicroBT与Canaan两大加密货币矿机厂商，占总产能10%，并与特斯拉签订165亿美元2nm芯片协议，覆盖AI加速器需求。

这一布局源于半导体业务扭亏目标——2027年实现盈利。目前三星代工份额7.3%，远低于台积电的70.2%，但2nm订单注入活力，推动Q3营收达605亿美元，同比增长9%。初期Exynos 2600产能有限，Galaxy S26或部分依赖高通Snapdragon 8 Elite Gen 5补充。

2025年全球先进节点市场规模预计超2000亿美元，2nm渗透率达15%，三星的GAA路径正值AI与HPC需求爆发期。良率从30%至60%的进步刺激供应链迭代，本土设备如ASML高NA EUV工具订单增20%，成本虽高于台积电10%，却在生态兼容上获益。Exynos 2600的2nm首秀或蚕食台积电份额5%，尤其在移动SoC领域，Galaxy系列的统一节点策略降低库存压力。

工程趋势下，GAA从3nm向2nm的演进强调密度而非激进跃迁，nanosheet设计在泄漏控制上领先FinFET 20%，但需优化互连以匹配Intel 18A的封装创新。市场数据显示，加密与汽车订单占比升至25%，反映多元化客户转向本土化，但良率门槛仍存，预计2026年2nm覆盖率达30%，平衡性能与成本。

三星2nm GAA的指标虽温和，却在良率与订单中奠定代工基础。它表明先进制程的本质在于稳健积累，这一节点将以实用效率融入2026年芯片生态。

来源：万物云联网