摘要：10纳米级第6代（1C）DRAM产品今年启动量产，明年全面扩大产量规模，采用1C工艺的DRAM产能占比超过50%。

据闪德资讯获悉，SK海力士披露了DRAM、NAND Flash及HBM领域的最新业务规划。

10纳米级第6代（1C）DRAM产品今年启动量产，明年全面扩大产量规模，采用1C工艺的DRAM产能占比超过50%。

产能分配将遵循优先保障需求明确产品的原则，新增产能重点投向HBM领域，DRAM与NAND闪存产能需求，通过现有生产线向先进工艺转换的方式来满足。

SK海力士预计明年DRAM需求增长20%以上，NAND增长10%以上。

2026年HBM供需依然紧张，连DRAM、NAND Flash产能也全部卖光。

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来源：小象科技每日一讲