储存芯片真龙要起:下一个新易盛在哪?

B站影视 日本电影 2025-10-30 06:00 1

摘要:昨晚老粉阿明甩来持仓截图——他蹲了半年的某储存芯片标的,Q3营收同比涨了65%,问我“这货能复制新易盛当年的3倍行情不?”;紧跟着新粉小周补了句:“新易盛靠光模块吃了AI红利,储存芯片凭啥能接棒?”

昨晚老粉阿明甩来持仓截图——他蹲了半年的某储存芯片标的,Q3营收同比涨了65%,问我“这货能复制新易盛当年的3倍行情不?”;紧跟着新粉小周补了句:“新易盛靠光模块吃了AI红利,储存芯片凭啥能接棒?”

其实这不是“凭空对标”——现在的储存芯片,正站在和2023年初光模块一模一样的“风口起点”:行业周期触底反弹、AI需求砸出增量、国产替代卡紧卡位。今天咱们拆透:为什么这只储存芯片是“真龙”,它复刻新易盛的逻辑到底有多硬。

1 先搞懂:新易盛的“3倍逻辑”,到底吃了啥红利?

想找下一个新易盛,得先把它的“涨势密码”扒干净——新易盛2023年涨3倍,核心是踩中了“三重合击”:

第一是行业从“冷到爆”:2022年光模块行业还在“去库存”,2023年AI算力需求突然爆发,800G光模块订单从“按千台算”跳到“按万台订”,行业营收增速从-5%冲到35%。

第二是技术卡位“卡到点上”:新易盛是国内最早量产800G光模块的企业之一,刚好卡在AI服务器的“算力传输刚需”上,拿到了英伟达、微软的订单,高端产品占比从30%提到60%。

第三是国产替代“窗口打开”:海外光模块厂商产能跟不上,份额从60%降到45%,新易盛顺势吃掉了这部分缺口,市占率从8%升到15%。

而现在的储存芯片,正踩着这“三重合击”的节奏——这不是“强行对标”,是行业周期和产业逻辑的“精准复刻”。

2 储存芯片的“行业弹簧”,已经压到底了

新易盛的爆发,是光模块行业“弹簧压到底后弹起来”;现在的储存芯片,也刚走完“压弹簧”的阶段:

先看周期拐点:2022-2024年,储存芯片行业连跌8个季度——NAND闪存价格从200元/GB跌到35元/GB,DRAM价格从12美元/GB跌到2.8美元/GB,海外大厂(三星、美光)的储存芯片业务净利跌了70%。但2025年Q3,行业突然“绷住了”:NAND价格环比涨8%,DRAM价格环比涨5%,是连续6个季度下跌后的首次反弹。

再看需求端的“爆点”:AI是储存芯片的“最大增量”——ChatGPT这类大模型,训练一次需要PB级的储存容量,而每台AI服务器的储存配置是普通服务器的3-5倍。2025年Q3,全球AI服务器的储存芯片采购量同比增42%,国内某头部服务器厂商的储存订单,Q3比Q2翻了1.5倍。

更关键的是供给端的“收缩”:三星、美光为了稳住价格,2025年Q2开始减产15%-20%,NAND的全球产能同比降8%,DRAM产能降6%——“需求涨、供给缩”,价格反弹是必然,这和2023年光模块“需求爆、供给缺”的逻辑一模一样。

3 储存芯片“真龙”的核心:对标新易盛的“卡位能力”

新易盛能成“光模块龙头”,靠的是“技术+客户+产能”的卡位;这只储存芯片标的,刚好把这三点都攥在手里:

第一是技术卡位:摸到了国际主流水平

新易盛靠800G光模块卡位,这只储存芯片标的,靠的是“232层3D NAND闪存”的量产——要知道,目前国际主流的NAND是232-256层,国内之前能量产的只有192层。它的232层NAND在2025年Q2实现量产,读写速度比192层快20%,成本降15%,直接摸到了三星、铠侠的“同代水平”。

研发数据更实在:它的研发投入占营收的16.8%,比行业平均的12%高4.8个百分点;储存芯片相关专利超2000项,其中“3D堆叠技术”的专利数占国内的22%——这不是“蹭概念”,是真金白银砸出来的技术壁垒。

第二是客户卡位:挤进了头部供应链

新易盛靠英伟达、微软订单起飞,这只标的也拿到了“硬通货客户”:2025年Q3,它的储存芯片进入了华为、浪潮的服务器供应链,订单量同比增120%;某互联网大厂的AI数据中心,已经用它的NAND闪存替代了10%的海外产品——要知道,头部客户的认证周期至少要18个月,能挤进去说明技术和稳定性都过了关。

更重要的是“订单持续性”:它和华为签了2年的框架协议,保底订单量是2025年营收的30%——这相当于“提前锁了三分之一的业绩”,和新易盛当年的长单逻辑一模一样。

第三是产能卡位:刚好踩中需求爆发

新易盛的800G光模块产能在2023年翻倍,这只标的的12英寸晶圆产线也在2025年Q3投产,产能从每月2万片提到3万片,对应NAND闪存的年产能增50%。

产能释放的节奏刚好卡着需求:Q3它的产能利用率从70%升到90%,Q4随着AI服务器订单落地,利用率预计能冲到95%——“产能跟上需求”,才不会像某些企业那样“有订单没产能,眼睁睁看着红利溜走”。

4 复制新易盛,要避开这两个“隐形坑”

新易盛的上涨不是“一路坦途”,这只储存芯片标的也有风险——别光看机会,这两个坑得绕开:

第一个坑:行业周期的“反复”

储存芯片是强周期行业,价格反弹不代表“一路涨”。如果AI服务器的需求不及预期(比如某大厂推迟数据中心建设),价格可能会回调——2023年光模块也经历过“涨30%又跌10%”的波动,要扛得住短期回调,别追在“价格高点”。

第二个坑:技术迭代的“内卷”

储存芯片的技术更新比光模块快:现在是232层,明年可能就到256层。如果这只标的的256层NAND量产进度慢于三星、美光,技术壁垒会被削弱——这也是为什么它要把16.8%的营收砸进研发,持续迭代才是“卡位的底气”。

其实投资里的“对标龙头”,从来不是“看名字像就买”,是看“行业逻辑、卡位能力、节奏时机”是不是都对得上。

新易盛的3倍,是“光模块行业从冷到爆+它刚好卡在那个点上”;这只储存芯片的机会,是“储存行业周期反弹+AI需求砸增量+它的技术和产能刚好跟上”——本质上都是“选对了赛道,又站对了位置”。

很多人喜欢追“已经涨起来的龙头”,但真正赚大钱的,是在“龙头还没涨起来时,看懂它的逻辑并拿住”。就像新易盛在2023年初时,很多人觉得“光模块是传统行业”;现在的储存芯片,也有人觉得“国产货不如海外”——但行业的拐点,往往藏在“多数人怀疑的地方”。

来源:清心老师

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