摘要：2025 年，存储芯片市场迎来了前所未有的风口。AI 革命的浪潮推动了存储芯片需求的激增，全球存储芯片市场正经历一场超级涨价周期。在这个大背景下，兆易创新作为国内存储芯片设计领域的领军企业，凭借其在 NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM 三大

2025 年，存储芯片市场迎来了前所未有的风口。AI 革命的浪潮推动了存储芯片需求的激增，全球存储芯片市场正经历一场超级涨价周期。在这个大背景下，兆易创新作为国内存储芯片设计领域的领军企业，凭借其在 NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM 三大领域的全面布局，正站在风口之上，展现出强劲的发展势头。

兆易创新的产品线涵盖了 NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM，形成了 “NOR Flash + 利基 DRAM + MCU” 三驾马车的格局。这三驾马车不仅涵盖了存储芯片的主要领域，还相互补充，形成了强大的协同效应。NOR Flash 以其快速读取和低功耗的特点，广泛应用于物联网设备和汽车电子等领域；利基 DRAM 则在网通、安防等细分市场占据领先地位；MCU 则为智能设备提供了核心的控制功能。这种多元化的布局，使得兆易创新能够在不同的市场和应用场景中发挥优势，满足多样化的客户需求。

在利基型存储市场，兆易创新占据了国内龙头的地位。其 DDR4 产品已经广泛应用于网通、安防等领域，随着国际大厂逐渐淡出这一市场，兆易创新的市占率有望进一步提升。2025 年第三季度，公司的 DRAM 业务实现了爆发式增长，营收同比增长 120%。这一成绩不仅展示了兆易创新在利基市场的强大竞争力，也预示着其未来在这一领域的广阔发展空间。此外，2025 年上半年，兆易创新的营收达到 41.5 亿元，同比增长 15%；车规级存储营收增长 40%，显示出公司在新兴市场的强劲增长势头。

全球存储芯片市场正经历一场由 AI 革命驱动的超级涨价周期。下游客户为了保障未来的供应，已经开始锁定未来 2-3 年的产能。一位业内资深分析师表示：“内存价格才刚刚进入上升通道，一些大客户已经开始与内存原厂签订 2-3 年期合同来保障供应。” 随着 AI 服务器需求的激增，主要的 DRAM 生产商如三星、SK 海力士等正在考虑将 DRAM 和 NAND 闪存芯片价格上调高达 30%。DDR4 16G 内存条的价格从去年的低点 200 多元飙升至突破 500 元，涨幅超过 100%。零售市场同样涨势迅猛，以 G.Skill Trident Z5 Neo 为例，其价格在一个月内上涨了 40%。这波涨价潮不仅为存储芯片企业带来了短期的利润增长，也为长期的市场布局提供了机遇。

关于本轮内存超级涨价周期的持续时间，市场普遍认为将至少延续至 2026 年下半年。短期来看（2025Q4-2026Q1），价格看涨趋势明确。TrendForce 预测，四季度一般型 DRAM 价格环比上涨 8%-13%，若加上 HBM 则达 13%-18%；NAND Flash 环比上涨 5%-10%，其中企业级 eSSD 合约价涨幅或达 5%-10%。这一趋势为兆易创新等存储芯片企业提供了良好的市场环境，有望进一步推动其业绩增长。兆易创新的 NOR Flash 产品已在 2025 年 9 月全线涨价，预计三季度、四季度都会维持涨势。这不仅有助于提升公司的短期利润，也为未来的市场布局奠定了基础。

展望未来，兆易创新在存储芯片领域的优势将继续为其发展提供动力。随着 AI 技术的不断推进和市场需求的持续增长，存储芯片市场有望继续保持繁荣。兆易创新凭借其在 NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM 三大领域的全面布局，以及在利基市场的领先地位，有望在这一波存储芯片的超级涨价周期中脱颖而出，进一步提升其市场份额和盈利能力。对于投资者而言，兆易创新无疑是一个值得关注的优质标的。

来源：碎碎念是我本体