摘要：2025年10月，全球存储芯片市场迎来“涨价风暴”：三星、SK海力士等头部厂商宣布第四季度DRAM合同价最高上调30%，NAND闪存合同价涨幅亦达5%-10%。这场涨价的背后，是AI服务器对高性能存储的“吞噬式需求”与传统产能结构调整的叠加效应——AI驱动的D
2025年10月，全球存储芯片市场迎来“涨价风暴”：三星、SK海力士等头部厂商宣布第四季度DRAM合同价最高上调30%，NAND闪存合同价涨幅亦达5%-10%。这场涨价的背后，是AI服务器对高性能存储的“吞噬式需求”与传统产能结构调整的叠加效应——AI驱动的DDR5、HBM等产品需求激增，挤压了DDR4等传统产能，导致DDR4供应紧张；同时，原厂为追求高利润，纷纷削减DDR4产能转向HBM和DDR5，进一步加剧了供需失衡。
全球存储芯片的涨价，本质是“需求端爆发”与“供给端收缩”的共振。
从需求端看，AI服务器成为存储需求的核心增长点。AI大模型的训练与推理需要海量数据存储，而HBM（高带宽内存）、DDR5等高性能存储产品的需求增速远超传统DRAM。据IDC预测，2025年全球AI服务器出货量将同比增长80%，每台AI服务器搭载的DDR5容量是普通服务器的3-4倍，HBM需求更是呈指数级增长。这种“高性能存储的爆发式需求”，直接挤压了DDR4等传统产品的产能，导致DDR4供应紧张，价格涨幅超50%。
从供给端看，原厂为追求高利润，纷纷调整产能结构。三星、SK海力士等头部厂商将DDR4等传统产能削减，转而专注于HBM、DDR5等高端产品。例如，三星平泽工厂的DDR5专用产线2025年第二季度满产运行，SK海力士利川工厂的1α工艺产能向DDR5倾斜。这种“产能向高端转移”的策略，虽然提升了厂商的利润，但也导致传统存储产品（如DDR4）的供给不足，进一步推高了价格。
在全球存储产能结构调整的背景下，国产存储厂商加速扩张，成为全球存储市场的重要变量。
长存三期：3D NAND产能的“倍增器”
2025年9月5日，长存三期（武汉）集成电路有限公司正式成立，注册资本207.2亿元，规划月产能15万片，聚焦192层以上3D NAND及Xtacking 4.0架构。作为国内唯一的3D NAND原厂，长江存储的3D NAND技术已实现232层以上堆叠量产，位密度超过三星、SK海力士。三期项目的启动，将推动长江存储的3D NAND产能从当前的10万片/月提升至30万片/月，目标占据全球15%的市场份额。这一扩张，不仅将填补国内高端3D NAND产能缺口，更将打破三星、SK海力士在3D NAND市场的垄断。
长鑫科技：DRAM国产化的“领头羊”
2025年7月7日，长鑫科技启动上市征程，估值超1400亿元。作为国内规模最大、技术最先进的DRAM IDM企业，长鑫科技的DDR5良率达80%，单位晶圆成本比韩国厂商低15%-20%，性能对标国际大厂。2025年，长鑫科技的DRAM产量预计273万片，成为全球第四大DRAM厂商。二期工厂2025年第四季度试生产，新增产能8万片/月，聚焦15nm以下先进制程；三期工厂已启动设备采购，目标2026年扩产6-7万片/月。长鑫科技的扩张，将推动国产DRAM的市场份额从当前的4.1%提升至2025年末的7%，进一步降低国内对进口DRAM的依赖。
国产存储的扩张，直接拉动了半导体设备的需求。而北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米、迈为股份等“两存敞口较高”（新签订单中存储占比高）的设备商，有望成为最大受益者。
北方华创是国内唯一平台级半导体设备厂商，产品覆盖刻蚀、沉积、清洗、光刻等多领域，存储设备业务收入占比达35%。在长江存储、长鑫科技的产能扩张中，北方华创的刻蚀设备、薄膜沉积设备（PVD、CVD）是核心供应商。例如，长江存储的232层3D NAND量产线中，北方华创的刻蚀设备占比超40%；长鑫科技的DDR5产线中，北方华创的薄膜沉积设备占比超50%。随着长存三期、长鑫科技的产能释放，北方华创的存储设备订单将持续增长。
中微公司的等离子体刻蚀设备在长江存储供应链中占据超70%的份额，是232层3D NAND量产的关键供应商。此外，中微公司的CCP刻蚀设备进入SK海力士232层产线，技术获国际认可。随着长江存储、长鑫科技的产能扩张，中微公司的刻蚀设备订单将持续增长，存储设备业务收入占比有望提升至40%以上。
拓荆科技是国内薄膜沉积设备龙头，产品覆盖PECVD、ALD等，存储设备业务收入占比达65%。在长江存储的3D NAND产线中，拓荆科技的PECVD设备占比超50%；长鑫科技的DDR5产线中，拓荆科技的ALD设备占比超40%。随着国产存储的扩张，拓荆科技的存储设备订单将持续增长，成为其核心收入来源。
微导纳米是国内领先的半导体设备厂商，专注于薄膜沉积设备，存储设备业务收入占比超90%。其主要客户包括长江存储、长鑫科技，产品覆盖3D NAND、DRAM的薄膜沉积环节。随着长存三期、长鑫科技的产能释放，微导纳米的存储设备订单将持续爆发，成为“两存敞口”最高的设备商。
迈为股份是国内半导体设备厂商，专注于存储设备的研发与生产，存储设备业务收入占比超90%。其主要产品包括3D NAND的堆叠设备、DRAM的封装设备，客户包括长江存储、长鑫科技。随着国产存储的扩张，迈为股份的存储设备订单将持续增长，成为其核心收入来源。
全球存储涨价潮与国产存储的扩张，为国产半导体设备商带来了历史性机遇。北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米、迈为股份等“两存敞口较高”的设备商，将受益于长存三期、长鑫科技的产能扩张，订单增速有望超30%，甚至达到50%+。随着国产存储的技术突破与产能释放，这些设备商将逐步实现“从替代到引领”的跨越，成为全球半导体设备市场的重要玩家。
对于投资者而言，这些“两存敞口较高”的设备商，有望成为2026年半导体板块的“核心标的”。其业绩的增长，不仅将反映国产存储的扩张，更将体现中国半导体产业的自主可控进程。
来源：题材冲浪
