SK海力士放大招！AI-NAND三箭齐发，存储市场要变天？

摘要：AI大模型“卡脖子”的或许不是算力，而是数据“跑不快”的存储瓶颈。10月27日，SK海力士在2025 OCP全球峰会上抛出重磅方案，直接瞄准AI时代的存储刚需。

AI大模型“卡脖子”的或许不是算力，而是数据“跑不快”的存储瓶颈。10月27日，SK海力士在2025 OCP全球峰会上抛出重磅方案，直接瞄准AI时代的存储刚需。

这家全球存储巨头在声明中明确，AI推理市场的爆发正催生对高速高效存储的迫切需求。为此，公司推出专为人工智能量身定制的AI-NAND（AIN）系列产品线，从性能、带宽、容量三个核心维度重构NAND闪存解决方案，剑指数据处理速度与存储容量的双重突破。

AIN系列的三款产品各有专攻，精准覆盖AI场景的不同需求。AIN P聚焦大规模人工智能推理环境的数据输入输出效率，通过全新架构重新设计NAND闪存与控制器，最大限度消除AI运算与存储间的瓶颈，以此提升处理速度与能效。这款产品的样品计划在2026年底正式推出，将直接缓解推理场景中的数据延迟问题。

AIN D则主打高容量与经济性的平衡，专为海量AI数据存储设计。相比现有基于QLC的TB级SSD，它能将存储容量一举提升至PB级，同时兼顾SSD的高速性能与HDD的成本优势，填补了中间层存储的市场空白。这意味着AI训练所需的庞大数据集，将获得更具性价比的存储选择。

AIN B的核心竞争力在带宽突破，采用了名为HBF（高带宽闪存）的技术。这种技术与堆叠DRAM芯片的HBM（高带宽存储器）原理相似，通过垂直堆叠NAND闪存实现带宽扩容，让数据传输速度跟上算力增长的步伐。SK海力士首席开发官Ahn Hyun直言，公司正通过与伙伴合作，全力争夺下一代NAND存储市场的关键地位。

这一动作绝非孤立事件，背后是整个存储行业的结构性变革。当前全球存储三巨头已占据95%的市场份额，而三星与SK海力士更已启动第四季度涨价潮，DRAM与NAND产品最高涨幅达30%。根源就在于AI正重新定义存储价值，从单纯的“容量竞赛”转向“架构升级”，存储性能已成为决定AI体验的核心要素。

SK海力士的AIN系列，恰恰踩中了这场变革的要害。AI时代的数据呈现“4V”特征，体量巨大、实时性强，传统存储早已难以应对。AIN系列通过“性能+容量+带宽”的三维布局，精准解决了AI推理的速度瓶颈、数据存储的成本难题与高并发场景的带宽限制，这不是简单的产品升级，而是对AI存储需求的系统性回应。