摘要：DDR4价格一月暴涨30%、HBM报价一年翻倍、美光股价单月涨60%——存储芯片涨价潮让“超级周期来了”的声音不绝于耳。但拨开价格迷雾会发现，这轮涨价并非全行业复苏的信号，而是结构性失衡与产能调控的结果，3个关键逻辑足以看清真相。

DDR4价格一月暴涨30%、HBM报价一年翻倍、美光股价单月涨60%——存储芯片涨价潮让“超级周期来了”的声音不绝于耳。但拨开价格迷雾会发现，这轮涨价并非全行业复苏的信号，而是结构性失衡与产能调控的结果，3个关键逻辑足以看清真相。

逻辑一：涨价是“局部狂欢”，非全面复苏

当前涨价高度集中在特定品类，绝非全产业链回暖。DDR4现货价格半年飙涨200%，核心原因是三星、美光主动将DDR4产能占比压缩至20%以下，转产高附加值的DDR5与HBM，导致成熟制程出现永久性供给缺口。但真正代表行业趋势的DDR5季度涨幅仅15%，NAND闪存涨幅不足10%，消费电子端的存储需求更显疲软——2025年二季度全球PC出货量同比仅增12%，智能手机存储升级带来的增量已接近天花板。

AI驱动的HBM需求虽猛，但目前仅占DRAM市场价值的19%，即便2026年占比提升至41%，仍无法支撑全行业“量价齐升”。这种“部分品类缺货、多数领域平淡”的格局，与2017年全品类暴涨的超级周期相去甚远。

逻辑二：驱动是“产能转移”，非需求爆发

此轮涨价的核心推手是国际大厂的战略性产能调整，而非下游需求全面爆发。SK海力士HBM业务毛利率高达60%，是传统DRAM的两倍，这种利润差驱动三星、美光将12英寸晶圆产能优先分配给高端产品，主动削减30%以上的成熟制程产能。

所谓的“需求增长”也存在结构性局限：AI服务器单机存储需求虽达2TB，但全球AI服务器年出货量仅百万台级别，相较数十亿台消费电子设备的基数微不足道。云厂商的大额订单多为长期协议平移，实际新增需求增速不足25%，远未达到“爆发”级别。

逻辑三：国产产能“在路上”，涨价难持续

国产存储芯片的产能释放将成为打破供需平衡的关键变量。长江存储三期项目已启动，2026年投产后月产能将达30万片，目标拿下全球15%的NAND市场份额，其232层QLC颗粒成本已接近国际水平。长鑫存储更计划2026年量产HBM3芯片，当前DDR5产能良率已达95%，正快速填补传统存储供给缺口。

据测算，2026年国内存储芯片产能将增长40%，其中DDR5与中高端NAND占比超60%，这将直接压制成熟制程的涨价空间。摩根士丹利已预警，若国产产能释放超预期，2027年NAND可能从短缺转为过剩。

对散户而言，与其追逐“涨价概念”，不如聚焦真正的价值标的：HBM产业链的先进封装企业（如长电科技）、DDR5接口芯片龙头（如澜起科技），以及技术突破明确的国产存储厂商。同时需紧盯两个信号：国际大厂的产能调整节奏与国内HBM量产进度。

存储芯片本质仍是强周期行业，短期价格波动不改长期供需逻辑。所谓“超级周期”不过是产能转移与局部需求叠加的幻象，唯有锚定技术迭代与产能落地的企业，才能穿越波动真正受益。

来源：成熟葡萄I