摘要：FET（Fin Field-Effect Transistor），是一种先进的晶体管结构，用于半导体器件，特别是集成电路（IC），如微处理器、图形处理单元（GPU）和片上系统（SOC）。与平面场效应晶体管（FET）设计相比，FinFET结构具有许多优点。

FinFET

FET（Fin Field-Effect Transistor），是一种先进的晶体管结构，用于半导体器件，特别是集成电路（IC），如微处理器、图形处理单元（GPU）和片上系统（SOC）。与平面场效应晶体管（FET）设计相比，FinFET结构具有许多优点。

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FinFET 结构示意图

Gate-All-Around

GAA（Gate-All-Around）是一种新型晶体管架构，它解决了FinFET架构存在的一些问题。简单来说，GAA就是在FinFET的基础上进行了优化，把它侧过来，让 channel 变成水平的，而不是像以前那样垂直。这样一来，和FinFET channel 三面包围不同，GAA channel 能够实现四面包围，从而更好地控制晶体管的开关。为了制造GAA晶体管，需要一套新的、精度非常高的工艺。这将使得GAA晶体管在缩小尺寸的同时，还能降低可变性，提高性能，并且降低功耗。

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GAA 结构示意图

Backside Power

以前所有的硅芯片都从正面给它通电，电得经过10多层的 Metal 布线才能送到晶体管。这种通电方式有两个问题：

一是芯片上有限的空间得先分给这些 Metal 布线；

二是电在穿过这么 Metal层到晶体管的过程中，会损耗一部分能量。

背面供电就是把供电线路从芯片背面直接通上，而不是像以前那样从正面绕来绕去。这样一来，芯片能腾出更多空间给逻辑电路，性能也更强，功耗也能往下降。

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Backside Power 结构示意图

来源：卡比獸papa