摘要：铠侠（Kioxia）和闪迪（Sandisk）宣布，位于日本岩手县北上市的新建半导体生产设施Fab 2（K2）已开始运营。随着时间的推移，新工厂的产能将根据市场趋势分阶段提升，预计2026年上半年开始达到真正意义上的量产水平。

官方称，这座新建NAND闪存工厂有能力生产基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术构建的218层NAND闪存，采用了双方合作开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，以及未来先进的3D NAND闪存节点，以满足人工智能（AI）驱动下日益增长的存储需求。

Fab 2采用了抗震建筑结构，对内部进行了优化，节省出更多的空间，以扩大洁净室中制造设备的可用空间。里面安装了最先进的节能制造设备，并通过人工智能驱动来提高生产效率。根据2024年2月批准的计划，这次Fab 2的部分投资得到了日本政府的补贴。

公告称，铠侠和闪迪已经成功地建立了20多年的合资伙伴关系，未来将继续共同开发3D NAND闪存，并根据市场趋势进行资本投资，最大限度地提高协同效应和市场竞争力。此外，还将致力于抓住闪存市场机遇，让合作的客户能够充分利用人工智能带来的增长机会。

来源：小田田是90后