摘要：AI热潮带来的存力需求，加剧了全球存储市场的供需缺口。DRAM及NAND闪存市场缺货情况较此前预测更为严峻，预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。继闪迪、美光、三星和西部数据宣布涨价之后，存储模组大厂威刚日前宣布，自2025年9月29日起停止DDR4
AI热潮带来的存力需求，加剧了全球存储市场的供需缺口。DRAM及NAND闪存市场缺货情况较此前预测更为严峻，预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。继闪迪、美光、三星和西部数据宣布涨价之后，存储模组大厂威刚日前宣布，自2025年9月29日起停止DDR4报价，DDR5与NAND闪存优先供应主要客户；NAND闪存大厂群联则已在近日恢复部分报价，价格涨幅约10%，被看作NAND闪存市场的开涨信号。
存储芯片第四季度涨价已成定局。虽然2025年10月合约价尚未正式敲定，但上游原厂涨价态度更为强势，涨幅可能超过原有预期，DDR5现货价15%-25％，DDR4现货价逾15％。
德邦证券称，本轮存储行业的上行周期，和2016-2019年、2020-2023年有所不同，前两轮周期本质更多依托消费端发力，而本轮存储芯片的需求更多源自大型科技公司在AI时代的算力基建，持续性可能更强。现整理A股存储芯片行业缺货涨价相关的十家核心受益公司如下：
一、存储芯片设计
1、 澜起科技
全球唯一量产 DDR5 第二子代 MRCD/MDB 套片的企业，支持 12800 MT/s 速率（较 DDR4 提升 50%），深度参与 JEDEC 国际标准制定。公司 DDR5 内存接口芯片全球市占率达 36.8%，超越瑞萨成为行业第一，单颗芯片价格是 DDR4 的 3 倍。其 PCIe 5.0 Retimer 芯片已在 AI 服务器渗透率超 40%，毛利率高达 68%，直接受益于英伟达 H100 等高端 GPU 对高带宽内存的需求。2025 年 Q3 向华为交付 50 万颗 AI SSD 芯片（单价 $12），进一步巩固技术领先地位。2025 年上半年净利润同比增长 85%，预计全年净利润突破 25 亿元，成为存储周期复苏的标杆企业。
2、兆易创新
全球市占率 18.5%（车规级产品通过 AEC-Q100 认证），覆盖特斯拉、比亚迪等车企，19nm 工艺量产降低成本 15%。2025 年 Q3 某头部车企车载存储订单占比达 45%，车规级产品收入同比增长 40%。自研 LPDDR5 芯片进入华为昇腾供应链，2025 年车规级存储营收预计增长 40%，净利润达 15.48 亿元（同比 + 40%）。与长江存储签订年框架协议 15 亿元，国产替代加速。在长江存储、长鑫存储扩产带动下，其存储芯片配套需求激增，2025 年上半年订单同比增长 120%。
3、北京君正
收购矽成（ISSI）后车载 DRAM 全球市占率 19%，LPDDR4 产品适配特斯拉 FSD、英伟达 Orin 平台，单车价值量达 150 美元。2025 年上半年营收 22.49 亿元（同比 + 6.75%），车载存储收入占比提升至 65%。存算一体芯片 X2000 算力 24TOPS、功耗 1.2W，已导入 DeepSeek 大模型服务器，2025 年比亚迪智能座舱存储模组订单同比增长 300%。通过三星西安工厂认证，出口订单占比提升至 20%，直接受益于全球存储缺货潮。
二、先进封装
1、 长电科技
全球唯一实现 8 层 HBM 堆叠良率 98.5%（超三星 96%）的企业，热压键合精度 ±0.8μm，掌握 XDFOI® Chiplet 2.5D/3D 集成技术，直接对标台积电 CoWoS。合肥基地 HBM 专用产线月产能 2 万片，上海基地月产 3 亿颗存储芯片，独家承接 SK 海力士 HBM3E 封测订单，2025 年 HBM 封装收入预计超 50 亿元。为长江存储提供 HBM 封装服务，支持壁仞科技 BR100 芯片实现存算一体突破，近存计算模组延迟降至 0.5ns，能效比提升 5 倍。收购晟碟半导体后，存储封测市占率从 12% 提升至 25%，2025 年存储封测营收冲击百亿。
2、 通富微电
FCBGA 封装支持 16 层 NAND 堆叠，适配 AI 芯片需求，良率达 98%，已进入英伟达 HBM 供应链，2025 年订单金额超 30 亿元。独家承接华为 AI SSD 封测（月产能 50 万颗），直接受益于国产算力需求爆发。南通基地新增 2 万片 / 月 FCBGA 产能，2026 年目标产能 5 万片，成为国产替代重要力量。与 AMD 深度绑定，Zen5 CPU、MI350/400 AI GPU 封装订单 2025-2027 年累计达 150-180 亿元。入选工信部《先进封装产业三年行动计划》示范名单，60 亿元扩产计划加速落地，全部投产后月产能折合 6 万片 12 寸晶圆，足以承接 AMD 未来三年 50% 以上增量需求。
三、设备与材料
1、北方华创
PVD、CVD、ALD、离子注入机全系列布局，其中 ALD 设备收入近 20 亿元（2024 年），D-ALD 产品用于存储芯片金属氧化物薄膜沉积，M-ALD 支持 HiK 量产。2025 年首台离子注入机 Sirius MC 313 交付长江存储，打破 AMAT 垄断，预计 2026 年设备国产化率突破 50%。2025 年上半年存储设备订单同比增长 150%，其中薄膜沉积设备占比超 60%。刻蚀设备收入超 50 亿元，薄膜沉积设备收入超 65 亿元，均保持较高景气度。
2、 中微公司
新一代 CCP 刻蚀机 Primo UD-RIE® 支持极高深宽比刻蚀（如 3D NAND 孔深 10μm），动态边缘阻抗调节系统提升晶圆边缘良率至 99.5%。Primo Menova™金属刻蚀设备全球首台交付长江存储，用于 Al 线刻蚀，2025 年存储设备收入预计超 30 亿元。2025 年上半年新签订单同比增速达 40%，等离子体刻蚀设备累计装机量超过 4500 个反应台，ICP 刻蚀设备累计装机量超过 1200 个反应台，技术差异化优势显著。
3、 雅克科技
全球仅 3 家能提供 HBM 封装用 low-α 球硅填料的企业之一，宜兴基地 450 吨新产能尚未投产即获三星、SK 海力士长期订单，毛利率达 59.09%（国内领先）。成都 4.8 万吨电子粉体项目一期（2.4 万吨）2025Q4 投产，成本比日本产品低 30%。收购 UP Chemical 后，半导体前驱体全球市占率 5%，覆盖 1b 制程 DRAM、200 层以上 3D NAND，2025 年 HBM 材料收入预计超 20 亿元。球形二氧化硅国产化率不足 5%，替代空间超 50 亿。
4、华海清科
CMP 设备在国内市场份额超 70%，全新抛光系统架构机台 Universal-H300 获得批量重复订单，新签 CMP 设备订单中先进制程占比提升。12 英寸超精密晶圆减薄机 Versatile–GP300 订单量大幅增长，已进入长江存储、长鑫存储供应链。昆山晶圆再生项目规划扩建总产能为 40 万片 / 月，首期 20 万片 / 月 2025 年投产，直接受益于存储芯片扩产带来的耗材需求。
四、模组与分销
1、 香农芯创
SK 海力士 HBM3 独家代理商，代理份额超 70%，与阿里、腾讯等云厂商签订 2025-2026 年长期供货协议，单季度营收同比增长 243%。自主品牌 “海普存储” DDR5 模组通过浪潮认证，传输带宽 6400Mbps，2025 年自研业务收入占比提升至 30%。2025 年 9 月 29 日股价上涨 8.23%，成为存储板块领涨标的，直接反映市场对其 HBM 代理业务的预期。
2、 江波龙
企业级 SSD 收入同比 + 666%，AI 服务器方案量产，海外子公司 Zilia 营收增长 40%，2025 年企业级业务占比提升至 30%。为华为提供 192 层 3D NAND 晶圆（长江存储 Xtacking 3.0 授权），首批交付 100 万片（占华为需求 35%）。深圳基地新增 5 万片 / 月 SSD 产能，2026 年目标产能 10 万片，直接受益于云厂商订单激增。
来源：价值远航02
