摘要：由于供应紧张和云端企业需求激增，三星电子将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%；NAND闪存价格上涨5%至10%；美光科技通知客户价格将上涨20%至30%。资本市场最大的逻辑之一就是涨价，因为涨价代表供需失衡中的供不应求，成本没变

由于供应紧张和云端企业需求激增，三星电子将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%；NAND闪存价格上涨5%至10%；美光科技通知客户价格将上涨20%至30%。资本市场最大的逻辑之一就是涨价，因为涨价代表供需失衡中的供不应求，成本没变但是价格上涨，行业的利润会开始上涨，对应的就是上市公司的基本面估值提升。

存储芯片是嵌入式系统中实现数据存储功能的核心组件，通过专用集成电路（ASIC）或现场可编程门阵列（FPGA）技术将存储控制器、协议管理等功能集成于单一芯片，支持存储协议兼容、数据加密及虚拟化等特性。其产品形态涵盖易失性存储（DRAM、SRAM）与非易失性存储（NAND Flash、NOR Flash）两大类，广泛应用于工业控制、云计算及智能终端等领域。

它主要分为动态存储（DRAM）、闪存（NAND Flash）和一些其他品类，不管是我们天天抱着不撒手的智能手机，还是家里的小爱同学、车上的自动驾驶系统，甚至后端计算中心如数据服务器，全都靠这些芯片在背后撑腰。存储芯片就是数字时代的硬通货，是cpu或者GPU芯片的信息仓库。

所以存储芯片是半导体行业中仅次于逻辑芯片的第二大细分领域，存储芯片相比其他半导体品种周期性较强。其中AI是推动半导体行业增长的关键驱动力，AI算力革命引发了存储芯片行业的供需重构。

2023年以来，全球存储芯片行业市场规模持续增长，2027年或超过1380亿美元，2023年至2027年复合增速达到5.5%。2025年我国存储芯片市场规模有望达到5500亿元人民币，2020年至2025年复合增速达到20%以上。有增速，而且有国产代替的强迫需求。

全球AI算力竞争愈演愈烈，国内外科技巨头纷纷加大资本支出，国内更是如火如荼，阿里巴巴宣布未来三年投入3800亿元建设云和AI基础设施，腾讯2025年资本开支或达千亿元。加大资本开支意味着提升生产效率、增强产能，以提升竞争力。对应的就是AI服务器出货规模持续扩大，下半年服务器NAND市场备货需求升温，四季度存储市场价格将迎来全面上涨。

HBM结合了垂直堆叠的DRAM芯片和超宽数据通路，为AI工作负载提供了带宽、密度和能耗方面的最佳平衡。HBM的生产成本要高得多，因此其相对于DDR5（一种计算机内存规格）具有合理的溢价，市场对HBM的需求依然强劲。

2025年第一季度，长鑫存储与长江存储季度营收均突破10亿美元大关。这一里程碑式的成就，标志着国内存储企业在全球舞台上正逐步崭露头角。华为未来3年开发和规划了三个系列，分别是Ascend 950系列，包括两颗芯片：Ascend 950PR和Ascend 950DT，以及Ascend 960、Ascend 970系列，更多具体芯片还在规划中，其中950PR将于2026年第一季度对外推出，该芯片采取了华为自研HBM。

HBM是一种能够实现高速、宽带宽数据传输的下一代DRAM技术和规范。其核心结构在于将多个DRAM芯片（通常4层、8层甚至12层）通过先进的封装技术垂直堆叠在一起。远超传统内存（如GDDR）的带宽（即数据传输速率）运行，因此它已成为高性能计算领域，特别是生成式AI所需GPU（图形处理器）的理想内存解决方案。

理解HBM高性能的关键在于以下三个相互协作的核心技术要素：

1：堆叠，垂直堆叠多层DRAM芯片，在单位面积上实现了存储容量的指数级增长（如8层堆叠提供8倍于单颗芯片的容量），实现了空间节省与大容量化。

2：TSV 硅通孔，在堆叠的DRAM芯片内部钻孔并填充导电材料形成垂直通道（直径仅5-10微米），以此高密度、短距离的垂直布线直接连接上下层芯片的信号、电源和地线，从而实现了传统平面布线无法企及的极宽总线位宽1024位以上。

3：中间介质层，一块承载GPU芯片和HBM堆栈的精密硅基板或有机基板。 它利用其表面和内部的高密度布线，线宽/线距可达微米级，将HBM堆栈的超宽接口与GPU芯片的高速I/O端口在极短距离内互连。

相关上市公司梳理：

通富微电 精智达

雅克科技 鼎龙股份

朗科科技 兆易创新

江波龙 佰维存储

来源：尹狼入市