摘要：三位知情人士透露，中国最大的NAND闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正计划扩展到 DRAM 芯片制造业务，包括用于制造人工智能芯片组的高级版本。

当地时间9月25日，据路透社报道，三位知情人士透露，中国最大的NAND闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正计划扩展到 DRAM 芯片制造业务，包括用于制造人工智能芯片组的高级版本。

两位知情人士表示，长江存储正在开发一种称为硅通孔 (TSV) 的先进芯片封装技术，该技术用于堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 以生产用于AI芯片的高带宽存储器 (HBM)。

注：高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半导体和SK海力士发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）等。

另外，DIGITIMES本月早些时候也曾报道了相关消息。报道称，长江存储YMTC正在准备进入DRAM制造领域，并且开启探索与长鑫存储科技CXMT的合作，对HBM高带宽内存展开攻坚。

与此同时，近期长江存储也迎来大动作。9月5日，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司成立，注册资本约207.2亿元。

在路透社的报道中称，一位知情人士表示，长江存储考虑将其在武汉建设的新工厂的一部分用于生产DRAM芯片。

随着生成式AI的快速迭代，AI芯片对内存带宽的要求达到新高度，传统DDR5内存已难以满足需求。HBM可以解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下AI芯片的主流选择。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，CAGR达33%。

然而，目前HBM芯片主要由美国美光、韩国SK海力士以及三星电子生产。

据民生证券，在HBM制造中，TSV工序是主要难点，其涉及光刻、涂胶、刻蚀等复杂工艺，是价值量最高的环节。国产HBM量产势在必行，TSV工序就成为了重点。

穿透硅通孔技术（TSV）是三维集成电路领域实现芯片堆叠互连的核心技术，通过垂直贯穿硅基板的导电通道实现芯片间电气连接，具有最高堆叠密度与最短互连路径的技术优势。在高带宽存储器（HBM）制造中，TSV技术实现8层DRAM芯片堆叠，数据传输速率达到6.4Gbps/mm²，较平面互连提升30倍。三星电子2025年量产的HBM4存储器即采用该技术。

长江存储作为中国第一家存储器晶圆厂，3D-NAND存储芯片龙头，尤其是Xtacking 3.0和Xtacking 4.0架构的推出，可让3D NAND的层数堆叠到232层，使得其能够与美光、三星和 SK 海力士等全球领导者进行竞争。

早在2018年长江存储公司就推出了名为“Xtaking”的混合键合技术，即在单独的晶圆上制造电池和渡线，然后将它们组合成一个。这样有利于选择更先进的逻辑工艺，从而让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

今年2月24日，韩媒ZDNet还报道称，三星电子已决定使用中国 NAND制造商长江存储“混合键合”专利，将从V10（第10代）开始采用。

随着堆栈高度的增长，更广泛的HBM生产正在稳定向混合键合迁移，以提高带宽并提高热性能，而Xtacking技术或能进一步发挥作用。

此外，作为中国最大的DRAM生产商，长鑫存储已推出多款DRAM商用产品。技术创新方面，长鑫存储成功量产本土DDR5模组，长鑫存储也正寻求追赶HBM。

8月中旬，还有韩媒报道，长鑫存储（CXMT）已开始以样品级别向业界供应 HBM3 产品。韩国业内人士称，中国公司进入一直由三星电子、SK 海力士和美光三大巨头主导的 HBM 领域可能会改变市场格局。

自去年年底以来，长鑫存储不仅推出了通用DRAM，还推出了DDR5等最新的标准产品，进一步巩固了其市场地位。Counterpoint Research分析称：“中国的长鑫存储正在通用DRAM市场大力追赶，HBM的竞争也日益激烈。”

如果报道属实，随着长江存储的进入，HBM的市场或将迎来新的竞争局面。

来源：卓乎科技一点号