摘要：MR25H10CDF该存储器容量1Mbit（128KB×8），采用MRAM技术，无需电池备份可永久保存数据。工作电压1.7V-3.6V，支持工业级温度范围（-40℃至+85℃），适合恶劣嵌入式应用。存储单元基于MTJ原理，有无限次读写寿命（>10¹⁶次），远超

一、基本参数与存储特性

MR25H10CDF该存储器容量1Mbit（128KB×8），采用MRAM技术，无需电池备份可永久保存数据。工作电压1.7V-3.6V，支持工业级温度范围（-40℃至+85℃），适合恶劣嵌入式应用。存储单元基于MTJ原理，有无限次读写寿命（>10¹⁶次），远超EEPROM的10⁶次擦写限制，解决频繁数据更新的存储可靠性问题。

二、接口与操作性能

EVERSPIN MR25H10CDF采用SPI串行接口，支持标准、双输出、四输出三种SPI通信模式，最高时钟频率80MHz。随机读取延迟低至25ns，写入无需页缓冲，单字节编程仅需50ns，较Flash缩短99%以上写入等待时间。支持连续读取，单次指令可快速传输多字节数据，最高吞吐量320Mbps（QuadSPI模式），满足实时数据采集的高速存取需求。

三、封装与应用场景

提供8引脚SOIC（150mil）和DFN（6×5mm）两种封装，兼容现有SPI存储器PCB布局。典型应用于工业控制、汽车ECU、智能仪表、医疗设备等需高可靠性、低功耗、快速读写的嵌入式系统。较EEPROM，写入速度提升200倍；对比NORFlash，消除擦除延迟，适用于频繁记录日志和动态更新配置参数的场景。

四、关键优势总结

1.性能突破：纳秒级写入与无限次擦写，解决传统存储器性能瓶颈。

2.可靠性保障：非易失存储、宽温设计和ESD防护，适应严苛环境。

3.低功耗特性：微安级待机电流，延长电池供电设备续航。

4.兼容性设计：SPI接口与封装引脚兼容，可直接替换升级。

5.成本优化：比FRAM性价比高，提供1Mbit经济方案。

该产品属MRAM系列，具备非易失、高速读写、高耐久性等特性，适用于对数据存储可靠性和实时性要求高的领域。

来源：英尚微电子