摘要：据悉，在近期举行的合作伙伴大会上，华为宣布将在下半年推出昇腾920芯片。这将会是其昇腾系列的下一代产品，其目标是与英伟达的H20芯片竞争。尤其是在当前英伟达H20芯片受限于禁售影响的情况下，昇腾920芯片的上市将可能成为市场的新热潮。这款芯片传言将采用中芯国际

华为公司董事、ICT BG CEO 杨超斌

据悉，在近期举行的合作伙伴大会上，华为宣布将在下半年推出昇腾920芯片。这将会是其昇腾系列的下一代产品，其目标是与英伟达的H20芯片竞争。尤其是在当前英伟达H20芯片受限于禁售影响的情况下，昇腾920芯片的上市将可能成为市场的新热潮。这款芯片传言将采用中芯国际N+3节点工艺，但我翻阅中芯国际刚发布的年报，并未找到任何有关这一工艺的介绍。

虽然在定位上，昇腾920是一款被华为直接对标英伟达H20芯片的产品，但其在性能参数上其实是显著优于后者的。例如，H20的算力约为H100的20%，而昇腾920在特定场景下已接近英伟达A100/A800的水平。

此外，昇腾920也被视为未来挑战英伟达H100的潜力产品，尤其在供应链自主性上具备优势。

英伟达的H20芯片被限制对大陆供应后，英伟达宣布仍会继续为大陆市场开发其替代产品，虽然其性能将比H20更弱，但有CUDA的生态优势支持，肯定会占据一定市场份额。

4月9日，唐纳德·特朗普将向中国出口人工智能芯片的禁令扩大到包括英伟达H20。DigiTimes Asia 报道称，就在这之后的一天，华为在合作伙伴大会上发布了下一代 AI 芯片昇腾 920。由于华为的合作伙伴大会是在很多地方都会召开的，所以目前并不知道这是在哪一次大会上宣布的，在大陆媒体尚未找到相关信息。根据DigiTimes Asia的报道，昇腾 920 预计将于 2025 年下半年量产，专家表示，它将能够取代中国人无法再获得的 H20 芯片。

英伟达H20 芯片仍然是中国公司的热门选择，尽管其功能不如其最新的 AI 产品。但该公司通过向大陆销售这种阉割版 AI 芯片赚取了数十亿美元甚至一百多亿，据报道，其销售额环比增长了 50%。不幸的是，英伟达的派对已经结束，由于销售额损失，预计该公司将注销 55 亿美元。

这对华为来说是一个巨大的机会，华为多年来一直在努力与英伟达的能力相媲美。其目前的 AI 芯片昇腾 910C 似乎提供了竞争对手英伟达 H100 推理性能的 60% 左右。另一方面，下一代昇腾920 将使用 6 nm 工艺节点，预计每张卡将超过 900 TFLOPs，并使用 HBM3 模块拥有 4 TB/s 的内存带宽。此外，据报道，其为 Transformer 和 Mix of Experts 车型打造的 920C 芯片也将比其前身效率提高约 30% 至 40%。

华为的昇腾920 发布让一些业内人士感到意外，尤其是因为它几乎是在白宫宣布禁止英伟达 的 H20 和 AMD 的 MI308 之后立即发布的。

据报道，这项计划中的扩大出口管制已经酝酿了几个月，因此DigiTimes Asia推测华为很可能一直在期待它的到来。

除了昇腾 920，华为还在同一合作伙伴大会上展示了其 AI CloudMatrix 384 超节点解决方案。这种机架级解决方案提供的性能比英伟达GB200 更高，但功耗更高。尽管如此，它可能会引起中国公司的注意，尤其是在新加坡和马来西亚等邻国正在打击试图将受制裁芯片带入中国的走私团伙的情况下。

传言中这款芯片将采用中芯国际N+3节点工艺，但这仅仅是传言，一些报道说是这款芯片采用中芯6nm制程，但这是不是N+3节点工艺，需要存疑。

在研项目与技术布局（财报原文摘录）​

在“第四节 管理层讨论与分析”的​“在研项目情况”​中，中芯国际列出的重点项目包括：

​28纳米超低漏电平台：已发布PDK V1.0，多家客户产品进入量产，持续优化漏电性能。

​55纳米高压显示第二代工艺平台：完成关键IP布局，客户新产品持续导入。

​65纳米射频绝缘体上硅（RF SOI）工艺平台：提升性能至业界最佳水平，满足射频芯片需求。

​90纳米BCD工艺平台：推进第二阶段开发，计划推出PDK并实现量产。

​8英寸高压显示驱动工艺平台：开发中大尺寸OLED/LCD显示驱动技术。

注：上述项目均为成熟制程（28纳米及以上）或特色工艺​（如射频、高压、BCD电源管理），未提及N+3或更先进制程的研发进展。

中芯国际的制程能力现状

根据公开信息及财报披露：

​成熟制程：中芯国际在14纳米/12纳米FinFET制程已实现量产，并持续扩产。

​先进制程：对7纳米及以下制程的研发仍在推进中，但受限于设备、材料供应（尤其是美国出口管制）和技术积累，尚未实现规模化量产。

​N+3节点（假设为更先进制程）​：财报中未披露相关技术细节或量产时间表。

关键挑战与风险

财报中提到的风险因素包括：

​技术迭代压力：需持续投入研发以应对客户需求变化，但新工艺研发周期长、成本高。

​供应链限制：美国出口管制导致先进设备（如EUV光刻机）和材料获取受阻，直接影响高端制程突破。

​资本开支压力：2024年资本支出主要用于扩产成熟制程（如12英寸晶圆厂），先进制程研发投入相对谨慎。

截至2024年底，​中芯国际在财报中未明确提及“N+3节点”的具体进展。其技术重心仍聚焦于：

​成熟制程的产能扩张​（如28纳米、14纳米）；

​特色工艺平台开发​（如高压、射频、车规级芯片）；

​应对地缘政治风险，优化供应链韧性。

若中芯国际未来在N+3节点（或类似先进制程）取得突破，预计会在后续财报或官方公告中明确披露。建议关注公司技术发布会或投资者关系沟通会的最新动态。

N+3工艺进展：立足7nm梯队，对标国际水平

技术定位与性能对标

中芯的 N+3工艺 基于DUV光刻技术开发，通过多重曝光实现晶体管密度的提升。根据测试数据，其能效表现介于台积电6nm与三星早期5nm之间，功耗控制可对标台积电7nm增强版（N7+）和6nm工艺。这一突破标志着中芯在 7-6nm主流工艺区间 具备了初步竞争力，尤其适用于AI芯片、高性能处理器等场景。

量产进度与供应链适配

量产时间表：N+3工艺已进入风险试产阶段，预计 2025年下半年起逐步提升产能，但目前良率仍需优化。

供应链支持：该工艺依赖国产设备（如上海微电子的28nm DUV光刻机）和材料，但在部分关键环节（如EUV光刻机）仍受国际供应链限制。

应用场景与客户合作

华为是主要合作伙伴之一，昇腾920 AI芯片即基于N+3工艺开发。此外，国内AI初创企业及部分消费电子厂商也开始采用该工艺投片，初步验证了其商业化可行性。

替代路径探索

在国产EUV光刻机商业量产尚无确切消息的情况中芯可能与国内科研机构合作开发 绕开EUV的技术路线。例如：

二维半导体材料：复旦大学团队研发的二硫化钼芯片技术（兼容现有产线70%工艺），计划2026年通过中芯8英寸试验线试产。

Chiplet异构集成：通过成熟制程拼接提升性能，华为昇腾920即采用该策略。

行业竞争格局与未来展望

台积电的压倒性优势

台积电在2024年第四季度以 67%的市场份额 主导全球晶圆代工，2nm工艺将于2025年下半年量产，进一步拉大技术代差。对比之下，中芯国际2024年营收80.3亿美元，净利润同比下降45.4%（受研发投入拖累），显示其仍处于“高投入、低回报”的追赶期。

国产替代的阶段性成果

尽管更先进制程进展有限，中芯通过N+3工艺和成熟制程扩产实现了以下突破：

国产AI芯片支持：华为昇腾系列、地平线征程6等芯片摆脱了对台积电的依赖。

产能扩张：北京、上海等地的28nm新厂逐步投产，应对汽车电子、工业控制的旺盛需求3 [^7]。

在定位上，昇腾920是一款被华为直接对标英伟达H20芯片的产品，但其在性能参数上其实是显著优于后者的。例如，H20的算力约为H100的20%，而昇腾920在特定场景下已接近英伟达A100/A800的水平。这款芯片未来仍有提高的可能。这也使国产芯片与英伟达的距离又拉近了一步。当然，与其最先进的芯片仍有距离，但在这方面华为有CloudMatrix 384 超节点解决方案弥补。

所以总体上，我们可以认为中国在人工智能硬件上与美国差距已经不大。

中芯国际在 N+3工艺（7nm改进版） 上已取得实质性突破，并开始商用化尝试，但其 3nm节点 仍面临技术、设备和市场的多重挑战。未来3-5年，中芯的战略重心或将继续偏向 成熟制程扩产与特色工艺优化，同时在先进制程领域通过合作研发探索差异化路径。

来源：卡夫卡科技观察