摘要：2025年9月，行业巨头英伟达（Nvidia）居然为其计划于2026年发布的Vera Rubin计算平台，向内存供应商们下达了一个近乎苛刻的指令。

人工智能的浪潮，正以前所未有的力量席卷全球。

2025年9月，行业巨头英伟达（Nvidia）居然为其计划于2026年发布的Vera Rubin计算平台，向内存供应商们下达了一个近乎苛刻的指令。

其搭载的第六代高带宽内存（HBM4），堆栈速度必须达到每针10Gb/s。

要知道，行业标准组织JEDEC为HBM4设定的官方速率仅为8Gb/s。

在AI算力竞赛中，计算核心的速度固然重要，但如果数据传输跟不上，再快的核心也只能“等米下锅”。

而英伟达的目标，就是让其Vera Rubin平台在面对最苛刻的AI推理工作时，单个GPU能释放出高达15 TB/s的原始带宽，从而在与老对手AMD的下一代MI450 Helios系统的竞争中，继续保持代差优势。

但驱动10Gb/s的HBM4并非易事。

因为更快的速度意味着更高的功耗、更严苛的时序控制，以及对芯片散热能力的巨大挑战。这些问题环环相扣，最终都会传导至成本和良率上，任何一个环节出错，都可能导致项目失败。

英伟达自己也清楚其中的风险。

有报道指出，英伟达内部已经开始考虑后备方案，比如根据HBM的性能等级，对Vera Rubin系列产品进行市场细分，高端的用10Gb/s部件，标准版则使用速度较低的部件。

同时，他们还可能错开不同供应商的认证流程，拉长验证窗口，给供应商更多时间去提升良率。

不久前，三星还因其第五代12层HBM3E内存迟迟无法通过英伟达严苛的认证测试而备受压力。在多次尝试失败后，据知情人士在2025年9月透露，三星终于拿到了这张宝贵的“入场券”。

这次突破很大程度上归功于三星芯片业务负责人全永铉（Jun Young-hyun）在2025年早些时候做出的一个关键决定。

他下令重新设计HBM3E的DRAM核心，从根本上解决了早期版本一直存在的散热性能问题。

而且，在英伟达10Gb/s的要求下，三星已向外界演示了11Gb/s的速度，超过了其主要竞争对手SK海力士的10Gb/s。

不仅如此，三星还计划采用更先进的4nm FinFET工艺来制造HBM4的基础芯片，而其竞争对手则普遍采用12纳米逻辑芯片。

不过，现在就断言三星已经胜利还为时过早。毕竟，实验室的演示速度不完全等同于大规模量产的最终性能和良率。

三星刚刚获批的HBM3E供应量预计就相对较少，一位业内高管甚至直言：“对三星来说，供货与其说是为了收入，不如说是为了自尊。”

作为目前英伟达最主要的HBM供应商，SK海力士的表现则更为稳健。它公开表示已“完成HBM4的开发，并准备进行量产”，性能也超过了英伟达10Gb/s的基准线。

另一家巨头美光（Micron）则显得更为谨慎。

它虽然已确认拥有HBM4样品，但对于是否支持10Gb/s的超高速度，尚未明确表态，显示出一种更为保守的跟随策略。

不仅如此，作为AI芯片市场的另一个主要玩家，AMD正在从不同的维度切入战场。根据规划，其下一代MI450加速器，每颗GPU最高可支持高达432GB的HBM4显存。

这就迫使内存厂商不能只盯着英伟达的需求，还必须平衡不同大客户的技术路线。

来源：小芳医学科普