三星第10代V-NAND闪存：超400层堆叠，接口速度飙升至5.6 GT/s！

摘要：近期，据业界消息透露，三星电子即将在国际固态电路会议（ISSCC）这一科技盛会上，揭开其最新的第10代3D NAND Flash的神秘面纱。这款NAND Flash采用了超过400层的堆叠技术，接口速度更是达到了惊人的5.6 GT/s。

近期，据业界消息透露，三星电子即将在国际固态电路会议（ISSCC）这一科技盛会上，揭开其最新的第10代3D NAND Flash的神秘面纱。这款NAND Flash采用了超过400层的堆叠技术，接口速度更是达到了惊人的5.6 GT/s。

三星此次推出的新一代V-NAND，依旧沿用了TLC（三级单元）架构设计，即每个存储单元可以存储3位数据。在这一架构下，每个芯片的容量高达1Tb（即128GB），展现了三星在存储技术领域的深厚实力。

尽管这款新的3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²，但相较于三星此前推出的1Tb 3D QLC V-NAND（存储密度高达28.5 Gb/mm²），仍略显逊色。不过，后者目前仍是全球存储密度最高的NAND Flash产品。

在接口速度方面，三星第10代V-NAND的表现尤为亮眼。其5.6 GT/s的接口速度，不仅远超同类产品，甚至超过了长江存储的3.6 GT/s。在如此高速的接口下，数据传输速率可达约700 MB/s，这一性能足以让多个设备同时工作，以满足高速数据传输的需求。据估算，10个这样的设备就能使PCIe4.0 x4接口达到饱和状态，而20个则足以让更快的PCIe5.0 x4接口满载运行。

据悉，三星计划在ISSCC 10上正式推出这款第10代V-NAND。这也意味着，这款NAND Flash很可能在明年开始进入批量生产阶段。然而，关于这款新产品何时会应用到三星自家的SSD产品中，目前尚无法确定。