摘要：铁电存储器公司(FMC) 已与Neumonda联手在德国重新建立所谓的 DRAM+ 生产。英飞凌和奇梦达在德国开发和生产动态随机存取存储器已有一段时间了，因为在欧洲生产商品存储器变得特别无利可图。然而，新的 FMC 和 Neumonda 合资企业将专注于针对特
二氧化铪FeRAM能够兼具高容量和非挥发性。
铁电存储器公司(FMC) 已与Neumonda联手在德国重新建立所谓的 DRAM+ 生产。英飞凌和奇梦达在德国开发和生产动态随机存取存储器已有一段时间了，因为在欧洲生产商品存储器变得特别无利可图。然而，新的 FMC 和 Neumonda 合资企业将专注于针对特定应用的非易失性 FeRAM。
FMC 专注于存储器，该存储器使用铁电氧化铪 (HfO₂) 来创建无需电源即可保留数据的 DRAM+。该技术用非易失性电容器取代了 DRAM 中的典型电容器，在保持高性能的同时提高了能效和数据保留率。FMC 认为其存储器可用于广泛的应用，包括人工智能、汽车、消费、工业和医疗。
较旧的 FeRAM 技术（通常使用锆钛酸铅 (PZT) 作为铁电层）容量有限。大多数商用产品最多只有几兆字节，4MB 或 8MB 相当常见。PZT 无法随着工艺节点的缩小而很好地扩展，并且与标准 CMOS 工艺的集成既困难又昂贵。因此，像 1T1C（一个晶体管，一个电容器）这样的单元结构比 DRAM 或 NAND 占用更多的面积。
转向氧化铪将改变游戏规则。HfO₂ 与 CMOS 兼容，可远低于 10nm，并可与现有的半导体制造工艺集成。因此，使用氧化铪可实现更高的密度和性能，可能达到千兆位到千兆字节的范围，使其更接近 DRAM。
FMC 首席执行官 Thomas Rueckes 解释道：“FMC 成立的目的是利用 HfO2 铁电效应这一颠覆性发明来开发半导体存储器。应用于 DRAM 后，DRAM 电容器会变成低功耗、非易失性存储设备，同时保持高 DRAM 性能，从而生产出适用于 AI 计算的颠覆性非易失性 DRAM 存储器。由于我们的技术在市场上独一无二，因此对我们的存储器产品进行经济高效的测试对于我们的产品供应至关重要。借助 Neumonda 及其全新的测试方法，我们找到了可以帮助我们加快产品开发的合作伙伴。我们也很高兴与 Neumonda 合作，因为我们有着共同的愿景，那就是让存储器重返欧洲。”
Neumonda 将通过咨询和提供其先进测试系统 Rhinoe、Octopus 和 Raptor 的使用权来支持 FMC。这些平台专为低成本、节能和独立的内存测试而设计。Neumonda 的系统提供传统设备无法实现的详细分析，并且成本显著降低。
两家公司携手合作，共同开发一款新型内存产品，并为欧洲半导体产能的全面复苏奠定基础。双方共同努力旨在重建本地先进内存设计和测试生态系统。
Neumonda 首席执行官 Peter Poechmueller 解释道：“随着我们的测试平台日趋成熟，FMC 的产品是验证我们的 Rhinoe、Octopus 和 Raptor 测试仪功能以及它们带来的高质量产量的理想试验场。我创立 Neumonda 的个人目标之一就是将半导体存储器带回欧洲。通过此次合作，我们向建立一家新的德国存储器制造商迈出了一大步。”
在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下，市场对于高性能存储解决方案的需求也在不断增加。据此预测，2024年全球存储器市场的销售额有望增长61.3%，达到1500亿美元。为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代，如铁电存储器FeRAM和ReRAM，以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。
FeRAM铁电存储器是一种随机存取存储器技术，是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。随着人工智能和大数据技术的飞速发展，对算力和存储的需求日益增长。传统的计算架构逐渐显露出局限性，这促使学术界和产业界开始探索新的计算架构和信息器件。
与传统的存储相比，FeRAM的写入方式是覆盖写入，这使得它不需要像NOR Flash和EEPROM那样进行擦除操作。在读写速度上，FeRAM也更为迅速，达到纳秒级，远超NOR Flash和EEPROM。同时，FeRAM的读写耐久性也是其显著特点之一，能够达到10¹³到10¹⁴次的读写次数，在某种意义上接近无限。而相比之下，EEPROM和NOR Flash则存在写入次数的限制。因此，FeRAM在实时写入和掉电保护等场景中，尤其是需要高频读写的电表应用中，展现出不可替代的优势。
目前，FeRAM的主要供应商有两家：富士通和英飞凌。英飞凌收购了CYPRESS，而CYPRESS又收购了Ramtron。值得一提的是，Ramtron的晶圆加工此前一直由富士通提供，而现在英飞凌的FeRAM晶圆代工则由德州仪器（TI）承担。
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来源：半导体产业纵横一点号
