摘要：CFM闪存市场最新报告显示，预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情，为明年春季行情走势奠定基调。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上，预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅，手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。以下是存储芯片3家重点公司梳理：

据报道，CFM闪存市场最新报告显示，预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情，为明年春季行情走势奠定基调。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上，预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅，手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。以下是存储芯片3家重点公司梳理：

一、兆易创新：存储设计龙头，全品类覆盖受益涨价

核心业务：公司是国内存储芯片设计领域的双龙头，NOR Flash 全球市占率 18.5%（第二），DRAM 业务通过长鑫存储代工实现国产替代突破。

涨价逻辑：

NOR Flash：车规、AI 服务器需求拉动显著，2025 年上半年营收同比增长 9.2%，占总营收 68.55%。

DRAM：深度绑定长鑫存储，其 DDR4 产品在 TV、工业领域快速放量，8Gb 新品市占率超 60%。长鑫存储作为国内 DRAM 龙头，其产品涨价直接提升兆易创新代工业务利润。

技术壁垒：推出双电压 SPI NOR Flash 新品，满足 AI 设备低功耗需求；NAND Flash 聚焦 SLC 领域，推出高速 QSPI 产品拓展应用场景。

二、澜起科技：DDR5 接口芯片全球龙头，AI 服务器需求爆发

核心业务：全球唯一全品类 DDR5 内存接口芯片供应商，市占率 40%-45%，主导 JEDEC 国际标准制定。

涨价逻辑：

DDR5 渗透率提升：AI 服务器对高速内存接口需求激增，DDR5 在服务器市场渗透率从 2023 年的 20% 提升至 2025 年的 50% 以上，公司产品单价随子代迭代（如第二子代 RCD 芯片）提升 30%。

技术卡位：推出支持 12800MT/s 的第二子代 MRCD/MDB 芯片，较上一代带宽提升 45%，已向三星、SK 海力士送样，预计 2025 年量产。

AI 协同：与华为昇腾合作，昇腾服务器中澜起芯片渗透率从 30% 提升至 65%，单机价值量超 2000 元。

三、深科技：DRAM 封测核心标的，长鑫存储深度绑定

核心业务：子公司沛顿科技是国内最大 DRAM 封测企业，为长鑫存储提供全流程封测服务，产能占长鑫外委比例超 70%。

涨价逻辑：

封测需求激增：长鑫存储 DRAM 产能快速爬坡（2025 年底月产能 11 万片），封测环节单价随存储芯片涨价同步提升，预计封测毛利率从 25% 提升至 35%。

技术壁垒：具备 HBM 封装技术储备，其 TSV 刻蚀设备已导入长鑫产线，未来有望切入 HBM 封装市场。

四、佰维存储：存储模组黑马，AI 端侧布局领先

核心业务：国内存储模组厂商，消费级 SSD、嵌入式存储（eMMC/LPDDR）市占率居前，2025 年 AI 端侧存储营收预计超 20 亿元。

涨价逻辑：

消费级存储涨价：消费级 DDR4 合约价 2025 年 Q3 涨幅达 85%-90%，公司消费级模组毛利率从 15% 提升至 22%。

AI 端侧突破：自研 eMMC 主控芯片（SP1800）量产，应用于 Meta、小米 AI 眼镜；UFS 主控芯片（SP9300）完成设计，支持 AI 手机存储方案，预计 2025 年量产。

先进封测：东莞晶圆级封测项目投产，具备 HBM 封装能力，可提供 “存储 + 封测” 一站式解决方案，目标客户覆盖英伟达、AMD。

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来源：价值起航日志