CFM称四季度存储市场价格将迎来全面上涨,存储产业链全面梳理

B站影视 韩国电影 2025-09-11 21:32 1

摘要:背景资料:CFM闪存市场最新报告显示,预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情,为明年春季行情走势奠定基调。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上,预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅,手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。

背景资料:CFM闪存市场最新报告显示,预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情,为明年春季行情走势奠定基调。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上,预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅,手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。

在供给端,减产效应显现,原厂将产能锚定更具利润空间的先进产品,存储大厂合约开启涨价。例如,25Q3DRAM与NAND合约价环比均不同程度涨价,DRAM涨幅更甚。需求端,云计算大厂capex投入开始启动,AI相关需求预期被大幅调高,对应企业级存储需求开始增多;同时消费电子终端为旺季备货,补库需求也在加强。整体,存储器进入明显的趋势向上阶段。持续看好企业级存储需求及利基型DRAM国产化替代。

一、存储芯片设计环节

1.DRAM/NAND设计

兆易创新:NOR Flash全球前三,利基型DRAM市占率提升,车规级产品通过认证,华为手机NOR Flash核心供应商。

北京君正:车载DRAM全球市占率19%,LPDDR4适配特斯拉FSD芯片,存算一体芯片进入大模型服务器。

澜起科技:DDR5内存缓冲芯片市占率超40%,适配英伟达H100/AMD MI300X GPU集群。

紫光国微:军用级存储芯片龙头,3D NAND研发进入流片阶段,目标2025年量产128层堆叠产品。

2.利基型DRAM国产化

东芯股份:提供NAND/NOR/DRAM全品类存储芯片,车规级NOR Flash通过特斯拉认证。

德明利:主攻利基型存储市场,eMMC/UFS产品适配物联网设备,华为供应链潜在合作方。

同有科技:分布式存储生态核心厂商,磁电存储技术适配华为混合存储方案。

二、晶圆制造与封测环节

1.晶圆制造

中芯国际:14nm量产,承接长鑫存储代工订单,无锡新厂2025年投产。

华虹公司:12英寸厂扩产,专注车规级功率器件制造。

2.封装测试

长电科技:全球封测前三,HBM3封装技术突破,承接长鑫存储80%订单。

通富微电:量产FCBGA封装,支持16层NAND堆叠,华为AI服务器存储核心合作方。

华天科技:Chiplet技术量产,华为海思存储芯片核心合作伙伴。

三、存储模组与主控芯片

1.存储模组厂商

佰维存储:企业级SSD进入国产AI服务器供应链,自研eMMC主控芯片量产,华为NM卡专利授权方。

江波龙:企业级SSD模组双雄之一,数据中心订单占比突破25%,自研SLC NAND控制器适配工业场景。

香农芯创:联合SK海力士开发企业级SSD,适配华为昇腾910B集群,代理海力士HBM3芯片。

2.主控芯片与互连技术

联芸科技(未上市):PCIe 4.0主控芯片全球第二,支持8通道NAND Flash,华为AI SSD核心供应商。

澜起科技:PCIe 5.0 Retimer芯片解决高速信号衰减问题,优化华为存储系统带宽。

四、材料与设备供应商

1.核心材料

雅克科技:HBM薄膜沉积材料独家供应商,前驱体材料通过三星认证。

安集科技:CMP抛光液覆盖14nm及以上制程,供应长江存储/长鑫存储。

彤程新材:光刻胶产品覆盖长鑫存储28nm及以上制程,I/KRF光刻胶量产。

2.关键设备

北方华创:刻蚀机/PVD设备批量导入长鑫产线,支持5nm以下先进制程。

中微公司:刻蚀设备用于HBM垂直互连,合作开发3D NAND堆叠技术。

华海清科:CMP设备用于DRAM晶圆平坦化,国内唯一量产厂商。

五、华为AI SSD产业链

1.核心硬件

朗科科技:昇腾AI服务器PCIe 4.0 SSD供应商,自研存算一体主控芯片降低延迟80%。

江波龙:提供“eSSD+RDIMM”整合方案,适配华为边缘计算场景。

2.散热与分销

宏达电子:华为SSD散热盖核心供应商,陶瓷电容技术提升散热效率30%。

天源迪科:华为存储设备独家代理商,2025年Q2华为存储分销收入同比+120%。

六、涨价受益与国产替代主线

1.DRAM涨价弹性标的

兆易创新:利基型DRAM龙头,受益消费电子补库与车规需求爆发。

北京君正:车载DRAM市占率提升,HBM技术储备完善。

2.NAND国产化标的

长江存储产业链:德明利(模组)、江波龙(主控)、雅克科技(材料)。

长鑫存储产业链:兆易创新(设计)、北方华创(设备)、雅克科技(材料)。

3.HBM产业链

赛腾股份:HBM封装设备供应商,适配SK海力士扩产需求。

联瑞新材:HBM封装材料核心供应商,球硅/球铝产品突破。

七、风险提示

1.技术迭代风险:HBM替代路径可能削弱传统存储需求。

2.价格波动风险:DRAM/NAND涨价持续性需观察库存去化节奏。

3.地缘政治风险:美国对华技术限制或影响设备/材料进口。

(免责声明:以上部分内容、数据、信息来源于网络,由本人基于公开信息收集汇总、编辑整理。其相关内容仅代表个人观点,仅供交流参考使用,不构成市场投资买卖操作依据。据此操作,盈亏自负,风险自担。市场有风险,投资需谨慎。)

来源:看见价值一点号

相关推荐