摘要：现在，国产存储芯片龙头长江存储（YMTC）迎来了一个重磅消息。9月5日，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司正式注册成立，注册资本高达207.2亿元人民币，法定代表人为长江存储董事长陈南翔。新公司涵盖集成电路制造、设计、销售及芯片产品进出口，并涉及技术服务、货
现在，国产存储芯片龙头长江存储（YMTC）迎来了一个重磅消息。9月5日，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司正式注册成立，注册资本高达207.2亿元人民币，法定代表人为长江存储董事长陈南翔。新公司涵盖集成电路制造、设计、销售及芯片产品进出口，并涉及技术服务、货物进出口、技术进出口等全链条业务，引起了业内广泛关注。
股权结构方面，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司由长江存储科技有限责任公司与湖北长晟三期投资发展有限责任公司共同持股 —— 长江存储科技有限责任公司持股比例为50.19%、认缴104亿元；湖北长晟三期投资发展有限责任公司持股比例为49.81%、认缴103.2亿元。
其中，湖北长晟三期投资发展有限责任公司成立于2025年9月2日，注册资本151.2亿，股东为武汉光谷金融控股集团有限公司（持股比例40%，认缴出资额60.48亿元）、江城产业投资基金（武汉）有限公司（持股比例40%，认缴出资额60.48亿元）、长江产业投资集团有限公司（持股比例20%，认缴出资额30.24亿元）。
湖北长晟三期作为产业投资平台，擅长资源整合与资本运作。而长江存储自2016年7月成立以来，在半导体集成电路领域尤其是3D NAND闪存方面成果显著，不仅推出了众多产品，还打造了零售存储品牌致态，在行业内占据重要地位。
新公司的股权结构形成「技术掌舵+资本护航」的双轮驱动模式：既保留了长江存储的技术主导权，又借助地方资本的力量放大项目落地效率，是国内半导体重大项目典型合作路径，有助于加速产能扩张和技术突破。
总产能有望实现翻倍
长江存储经过多年发展和布局，在今年第一季度占据全球NAND闪存市场8.1%的份额。有业内人士预测，按照这一增长速度，长江存储将在一至两年内与SK海力士、美光等巨头并驾齐驱。
目前长存总产能月约14万片/月，占全球3D NAND市场份额约12%，根据历史环评信息，长江存储规划产能为30万片/月，项目分三期建设，每期产能为10万片/月。中国地区NAND闪存市场销售额占全球比重在30%以上，结合后续自主可控的需求，以及存储需求的回暖，长存扩产的动力充足。
长存一期投资为370亿元，主要投资方包括国家大基金等，项目规划从2016-2020年，产能目标为月产能10万片。2017年成功设计中国首款3D NAND闪存；2019年实现64层技术量产，与国外差距缩小至2年；2020年4月研发出128层QLC闪存，技术差距进一步缩短至1年。二期投资约250亿元，投资方包括大基金二期等，项目于2020年启动，追加月产能20万片，总产能达30万片，并继续推进Xtacking架构优化与UFS 3.1接口研发，取得诸多重大突破。
长江存储是国家大基金投资最庞大的单个企业，国家大基金在长江存储拥有超过22%的股份，仅次于湖北武汉国资，湖北国资大手笔好投资，以长江存储为核心的高端芯片产业将是中国光谷未来发展四大柱石之一。
2023年2月，长存注册资本增至1052.7亿元，今年4月长存母公司长控集团新增16家投资方，注册资本增至1118.12亿元。 截至2025年，长江存储已跻身全球独角兽企业行列，估值达1600亿元。
2023年长江存储武汉二期工厂投产后，产能提升至全球第三。此次长存三期（武汉）集成电路有限责任公司的成立，无疑将进一步巩固和提升长江存储在集成电路产业中的地位，这一模式与此前长江存储的扩产动作一脉相承，进一步推动其先进制程研发与产能扩张。
据行业人士透露，随着长存三期公司注册成立，设备订单谈判已同步开展，包括北方华创、中微公司、拓荆科技、京仪装备、华海清科、长川科技等国产设备厂商将会充分受益，半导体设备国产化率有望继续提升。
首条「全国产化」产线今年试产
由于长江存储从ASML、Applied Materials、KLA等国际设备供应商取得新设备的能力受限，其计划大规模导入自研技术与国产设备，支撑其位成长率目标远高于整体市场的10%~15%。此前有消息报道，为了减少对外国设备的依赖，长江存储技术在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。
长江存储利用串堆叠技术绕过限制，并朝向100%设备国产化迈进，正是应美国管制128层堆叠以上堆叠技术设备出口后的对策，亦是中国芯片设备自主化的重要试金石。
全国产线的试产若能成功，有望使比特产量翻倍，助力长江存储实现市场份额目标。全球内存产能TOP3分别是三星、SK海力士、美光，三家2025年的产能预测分别是66万片、50万片和30万片，若长江存储能将月产量提升至20万片，将具备影响全球NAND闪存价格走势的话语权。但必须清醒认识到，从试验线到大规模量产并非一蹴而就，国产设备的长期稳定性、不同设备间的工艺兼容性以及成本控制能力都是需要解决的关键问题 —— 从良率稳定到成本优化，再到产品迭代，至少还需要3-5年的打磨周期。
中国芯片制造商正在取得渐进式的进步，不过，100%的设备本土化远远超出了分析师们认为中国芯片制造商目前可能实现的范围：长江存储在中国半导体设备国产化努力中脱颖而出，据摩根士丹利估计的采用率为45%，远超全国平均水平和其他主要国内晶圆厂（中国最大的晶圆厂中芯国际在其荆城晶圆厂实现了22%的国产化率，在临港晶圆厂实现了18%），然而45%的采用率仍远低于100%。
长江存储的全国产线试产是中国半导体产业在全球竞争中的一次“范式创新”。它证明了即使在单点技术落后的情况下，通过设备、工艺、架构的系统协同，仍能实现产业链的整体突破。首条全国产线的拉通具有重大意义：集成电路生产是一个系统化工程，其中涉及九大类核心设备和其他辅助模块，全国产线的拉通不是单一环节的突破，而是其中所有环节的突破。
我国半导体设备国产化率相对于中国市场的占比而言显著偏低，2024年，除去胶设备、清洗设备、刻蚀设备和热处理设备国产化率超30%，PVD/CVD/ALD、CMP、涂胶显影、离子注入、量检测和光刻等环节的国产化率仍低于20%，分别为5~20%，30~40%，5~10%，10~20%，1~10%和0~1%。
长江存储建立技术优势
值得注意的是，长存三期业务范围不仅包括传统芯片制造，还强调“技术服务”与“进出口代理”，表明公司或聚焦高附加值环节，同时通过全球化合作提升竞争力。在下一代NAND方面，长江存储被认为已走在三星与SK海力士之前：三星与长江存储签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议；除了三星，SK海力士也正在开发适用于400层以上NAND产品的混合键合技术，未来他们也可能需要与长江存储签订专利授权协议。
在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%。而随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路所占据的芯片面积或将达到50%以上，这也造成了存储密度的降低。同时，这种方法最多可容纳300多层的NAND，否则施加于底部电路上的压力可能会对电路造成损坏。
为了解决这一问题，长江存储早在2018年就已经将混合键合技术应用于3D NAND制造，并将其命名为「晶栈（Xtacking）」，推动了高堆叠层数的3D NAND制造开始转向了CBA（CMOS键合阵列）架构。而NAND晶圆和CMOS电路晶圆可以在不同的生产线上制造，使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。
最早将混合键合应用于3D NAND的长江存储在相关技术上拥有强大的专利积累，截至目前，长江存储专利总申请数量超过1万件。虽然长江存储近年来发展受到了外部的各种限制，但是已经成功地将存储密度提升至与行业领先水平相当的高度，实现了目前商业产品中最高的垂直栅密度，使得长江存储成为了全球NAND闪存市场的有力竞争者。
对于3D NAND厂商来说，要想发展400层以上的NAND堆叠，混合键合是一项不得不面对的核心技术。虽然SK海力士和美光分别在2020年和2022年向Xperi拿到了混合键合技术的授权，但因为转向CBA架构迟缓，使得三星、SK海力士等大厂面对已经在CBA架构3D NAND和配套的混合键合技术上持续投入多年的长江存储时，将会不可不避免的面临专利方面的障碍。除此之外，由于存在许多变化，与长期采用混合键合的长江存储相比，制造成本必然会高得多。
存储芯片行业已经是成熟市场，三星、SK海力士、美光等巨头占据了大部分市场份额。与他们相比，长江存储是后起之秀，最重要的是，在核心技术逐步追上甚至领先行业巨头之后，如何缩小设备和产量差距的能力也成为长江存储的关键问题，这对能否改写行业格局也至关重要。
来源：电子产品世界
