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手机内存扩展开还是不开好

是否开启手机的内存扩展（虚拟内存 / 内存融合）功能，需结合手机性能、存储配置及使用习惯综合判断。以下是详细分析与建议，帮助你理性决策：

许多朋友有续航焦虑，期望买一部续航强的手机，好在今年电池技术大幅提升，7000mAh的手机都发了不少，满电状态下完全能保障用户用一整天，甚至用两天一充也没问题，那么接下来就盘点2025上半年续航“最强”的3款新手机，配置还很强大，感兴趣的朋友可以了解下。

SK海力士宣布开发出了基于321层4D NAND闪存的UFS 4.1存储解决方案。这些超高密度的NAND芯片比上一代薄15%，将为UFS 4.1集成电路提供支持，预计会提供512GB和1TB的容量，将在今年内应用于PC固态硬盘，并将于2026年第一季度应用于智

SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。

2025年5月22日，SK海力士宣布成功研发出全球首款采用321层1Tb TLC 4D NAND技术的UFS 4.1闪存产品，该产品提供512GB和1TB两种容量版本。

内存制造商 SK 海力士宣布推出全球首款适用于智能手机的 321 层 UFS 4.1 TLC NAND 闪存，它速度更快、效率更高、体积更小，非常适合注重轻薄机身和 AI 工具的下一代手机。

具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化产品厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机“凭借全球最高321层的产品组合，公司将在NAND闪存领域进一步巩固‘全方位面向AI的存储器供应商’的地位”

SK海力士宣布，已开发出UFS 4.1产品，采用了全球最高的321层1Tb 4D NAND闪存，适用于移动应用，可选512GB和1TB两种容量。SK海力士表示，正通过构建具有AI技术优势的产品组合来扩大其在NAND领域作为全栈AI内存提供商的地位。

SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功研发出搭载全球最高堆叠层数的321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案——UFS 4.1。这一创新成果标志着SK 海力士在移动存储技术领域迈出了重要一步。

SK海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时，

SK 海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。

存储技术日益更新的今天，江波龙以领先的自研芯片能力，正逐步成为半导体存储领域的佼佼者。作为中国知名的存储上市公司，江波龙不仅在传统存储业务上稳扎稳打，更在自研芯片领域不断取得突破，为公司的长远发展奠定了的基础。

高通宣布，推出第四代骁龙7移动平台，旨在增强用户喜爱的多媒体体验并提供全面的稳健性能。高通表示，新平台实现全方位性能升级，为更多消费者带来备受喜爱的移动体验，包括令人惊艳的全新影像功能、激动人心的游戏体验和先进的终端侧AI功能等。

根据 iQOO 官方最新预热，iQOO Neo10 Pro+ 手机将搭载蓝晶 × 骁龙 8 至尊版处理器（蓝晶专属调校），采用LPDDR5X Ultra + UFS 4.1 组合，拥有 iQOO 迄今最大 7K 冰穹 VC，号称“散热效率提升 15%”。