摘要：SK海力士宣布，已开发出UFS 4.1产品，采用了全球最高的321层1Tb 4D NAND闪存，适用于移动应用，可选512GB和1TB两种容量。SK海力士表示，正通过构建具有AI技术优势的产品组合来扩大其在NAND领域作为全栈AI内存提供商的地位。

SK海力士宣布，已开发出UFS 4.1产品，采用了全球最高的321层1Tb 4D NAND闪存，适用于移动应用，可选512GB和1TB两种容量。SK海力士表示，正通过构建具有AI技术优势的产品组合来扩大其在NAND领域作为全栈AI内存提供商的地位。

这一发展是在NAND解决方案产品对高性能和低功耗的要求日益增加的情况下进行的，以确保设备上AI应用程序稳定运行。SK海力士预计，针对AI工作负载优化的UFS 4.1产品将有助于增强其在旗舰智能手机市场的内存领导地位。其提供了4300MB/s的数据传输速度，同时通过提高随机读写速度来提供一流的性能，相比于之前的第四代UFS产品分别降低了15%和40%。

随着对设备端AI的需求增加，设备计算能力和电池效率之间的平衡变得更加重要，移动市场现在要求移动设备的轻薄性和低功耗。与上一代基于238层NAND闪存的产品相比，电源效率提高了7%，厚度从之前的1毫米降至0.85毫米，可以更好地适应超薄智能手机。

SK海力士计划在今年内获得客户资格，并从明年第一季度开始批量发货。另外SK海力士还会面向消费者和数据中心带来基于321层1Tb 4D NAND闪存打造的SSD，计划今年内完成开发。

来源：超能网