EBR与WEE去边胶的区别？
WEE，全称：wafer edge exposure。在晶圆匀胶后，晶圆边缘的光刻胶会比中间区域的更厚，在后续的工序中会脱落造成污染，因此需要除去。而EBR，WEE,都是去除光刻工艺中晶圆边缘光刻胶的方法。
反射层
铜互连双大马士革工艺步骤
知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：双大马士革工艺的工艺步骤麻烦讲一下。
WEE，全称：wafer edge exposure。在晶圆匀胶后，晶圆边缘的光刻胶会比中间区域的更厚，在后续的工序中会脱落造成污染，因此需要除去。而EBR，WEE,都是去除光刻工艺中晶圆边缘光刻胶的方法。
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