国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有自旋极化电子层的半导体激光元件”的专利，公开号CN 119050803 A，申请日期为2024年7月。

格恩 半导体激光 电子层 2024-12-02 16:10  2