中国汉字是文化的基因，文明的密码，智慧的存储器
从结绳记事到甲骨刻痕，从竹简墨迹到云端数据，汉字作为中华文明的核心载体，始终与人类生产力的跃迁、科学技术的革新紧密交织。它不仅承载着五千年文明的精神密码，更以其独特的构造逻辑和技术适应性，为人类探索科技发展路径提供了深刻启示。在信息革命的浪潮中，汉字正以超越文
存储器
旺宏电子申请三维存储器元件制造方法专利，实现高容量高性能3D NAND闪存元件制造
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维存储器元件的制造方法”的专利，公开号CN 119677110 A，申请日期为2023年9月。
旺宏电子申请存储器元件专利，存储器元件具有高容量与高性能
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号CN 119677113 A，申请日期为2023年9月。
旺宏电子申请存储器元件的制造方法专利，提高存储器元件性能
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件的制造方法”的专利，公开号CN 119677107 A，申请日期为2023年9月。
集睿致远申请复用时钟和存储器的FPGA系统及方法专利，降低FPGA系统板的成本和复杂度
国家知识产权局信息显示，集睿致远（厦门）科技有限公司申请一项名为“一种复用时钟和存储器的FPGA系统及方法”的专利，公开号 CN 119670647 A，申请日期为2024年11月。
Welinq推出用于分布式量子架构的商用量子存储器
量子计算公司WeLink推出全球首套商用量子存储器，性能创世界纪录，为构建大规模量子数据中心扫清障碍。该产品可实现光子90%以上的高效存储与200微秒长时稳定，采用中性原子技术实现室温运行，无需复杂制冷系统，紧凑设计适配标准机架，支持即插即用部署。
独立存储器厂商的发展机遇
全球半导体存储产品产业拥有庞大的市场空间，独立存储器厂商佔整体市场份额约15%，并有望抓住重要的增长机遇。通过及时发现下游细分市场存在的多样化及定制化需求，独立存储器厂商可以快速响应，与IDM错位竞争，实现业务的快速增长。
半导体存储器价值链、市场规模及驱动因素
• 自2014年起：5G移动网络及云计算的快速发展促进了数据交互与积累，5G实现了高速度、低延迟传输，而云计算提供安全、高效及灵活的数据处理能力。同时，数据中心建设的激增也进一步为数据存储创造了机会。
新股消息 | 江波龙递表港交所 为全球第二大独立存储器厂商
据港交所3月21日披露，深圳市江波龙电子股份有限公司 (江波龙，301308.SZ)向港交所主板提交上市申请，花旗和中信证券为其联席保荐人。
中国科学家首次观测到超距量子能量纠缠，量子涨落研究有新工具
2025年3月21日，《物理评论快报》刊登了上海交通大学金贤敏团队与合肥国家实验室窦建鹏团队的突破性研究。他们利用两个量子存储器，首次在实验中观测到量子纠缠引发的非局域能量改变现象。
武汉长光科技申请一种FTTR虚拟域内无盘启动专利，实现减小非易失性存储器的数量和容量
国家知识产权局信息显示，武汉长光科技有限公司申请一项名为“一种FTTR虚拟域内无盘启动方法及系统”的专利，公开号CN 119652751 A，申请日期为2024年11月。
长江存储科技取得用于三维 NAND 存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法专利
金融界 2025 年 3 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司取得一项名为“用于三维 NAND 存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利，授权公告号 CN 114556564 B，申请日期为 2021 年 12 月。
江波龙，中国最大独立存储器厂商，递交IPO招股书，拟赴香港上市，花旗、中信证券联席保荐 | A股公司香港上市
2025年3月21日，深圳市江波龙电子股份有限公司Shenzhen Longsys Electronics Co., Ltd.(下称"江波龙”)在港交所递交招股书，拟在香港主板上市。
国芯思辰| 兼容FM25V20A/MB85RS2MT，国产铁电存储器SF25C20助听器应用方案
随着可穿戴设备对微型化与高效能需求的提升，铁电存储器正在助听器领域展现独特优势。传统助听器受限于闪存的写入速度慢、功耗高及耐久性不足等问题，而铁电存储器超低功耗、高密度集成、快速读写和接近无限的擦写次数，成为优化助听器性能的关键技术。
助听器 思辰 存储器 存储器sf25c20 sf25c20 2025-03-20 09:53 2
速度提高 100 倍：光能存储器将彻底改变计算方式
几十年来，计算机和智能手机电路的尺寸不断缩小，性能不断提升，这符合摩尔定律。然而，由于物理限制，例如芯片上可容纳的晶体管的最大数量以及密集排列的元件产生的热量，这一持续进步的时代即将结束。因此，尽管随着人工智能和机器学习等数据密集型技术的发展，对计算能力的需求
旺宏电子申请存储器元件相关制造方法专利，可应用于具有高容量及高性能的三维NAND存储器元件
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“ 存储器元件的制造方法及钨层的制造方法 ”的专利，公开号CN 119629998 A，申请日期为2023年9月。
旺宏电子申请存储器元件及其形成方法专利，可应用于制造高容量与高性能的 3DNAND 闪存工艺
金融界 2025 年 3 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其形成方法”的专利，公开号 CN 119629997 A，申请日期为 2023 年 9 月。
旺宏电子申请运算系统、其运算方法及搜索存储器专利，用于非易失性3D存储器的多种应用
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“运算系统、其运算方法及搜索存储器”的专利，公开号CN 119626294 A，申请日期为2023年12月。
AI高带宽存储器+DRAM前景乐观 花旗绩前唱多美光科技
花旗分析师Christopher Danely表示：“我们预计该公司将公布不错的业绩，但受消费者组合恶化和NAND(占2025财年第一季度销售额的26%)利用率不足的影响，其业绩指引将低于市场预期。然而，主流DDR5现货价格正在上涨，今年迄今上涨了近8%，这是
AI高带宽存储器+DRAM前景乐观 花旗绩前唱多美光科技(MU.US)
花旗分析师Christopher Danely表示：“我们预计该公司将公布不错的业绩，但受消费者组合恶化和NAND(占2025财年第一季度销售额的26%)利用率不足的影响，其业绩指引将低于市场预期。然而，主流DDR5现货价格正在上涨，今年迄今上涨了近8%，这是