下一代存储器趋势:存内处理(PIM),商业化迎来新进展
存储器,包括DRAM(动态随机存取存储器)和NAND(闪存),一直是半导体行业的重要组成部分,存储器市场的增长为半导体产业带来了新的增长点,推动了半导体产业的进一步发展。特别是近年来随着以ChatGPT为代表的生成式人工智能(AI)技术的不断发展和普及,也推动
存储器,包括DRAM(动态随机存取存储器)和NAND(闪存),一直是半导体行业的重要组成部分,存储器市场的增长为半导体产业带来了新的增长点,推动了半导体产业的进一步发展。特别是近年来随着以ChatGPT为代表的生成式人工智能(AI)技术的不断发展和普及,也推动
预计到2025年,DRAM和NAND市场将显著增长,尤其是HBM需求激增将重塑DRAM市场格局,但可能导致NAND市场投资减少和供应瓶颈。
前几天看到我国首款DDR5上市了,我抱着怀疑的态度,在网上买了根内存条,金百达的,今天收到了。
12月25日,TechInsights发文称,存储器市场,包括DRAM和NAND,预计在2025年将实现显著增长,这主要得益于人工智能(AI)及相关技术的加速采用。预计HBM出货量将同比增长70%,因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低
存储器 capex techinsights 2024-12-25 14:13 1
咨询机构TechInsights预计,存储器市场,包括DRAM和NAND在2025年将实现显著增长,这主要得益于人工智能(AI)及相关技术的加速采用。随着AI的兴起,特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中,对高带宽内存(HBM)的需求空前高涨。
根据全球领先的先进技术分析和知识产权服务提供商TechInsights发布的最新报告,预计2025年全球存储器市场将迎来显著增长。这一增长主要得益于人工智能(AI)及相关技术的加速采用,尤其是机器学习和深度学习等数据密集型应用的需求激增。
为了应对AI计算、后5G系统基础设施建设对高性能、高可靠存储的需求,铠侠长期致力于研发先进的存储技术和存储解决方案。例如基于相变存储原理打造的XL-FLASH存储级内存(Storage Class Memory, SCM),以及围绕此项技术打造的铠侠FL系列固
在全球半导体市场的营收格局之中,存储芯片始终占据着举足轻重的地位。以动态随机存取存储器(DRAM)以及闪存(NAND Flash)等具有代表性的存储芯片为例,在过去多年间,其市场规模常常能够在整个半导体市场中占据20%-30%左右的份额占比。
存储器集成电路(IC)作为现代电子设备不可或缺的组成部分,其封装形式对其性能、散热、集成度以及生产成本等方面都有重要影响。不同的应用场景和需求,使得存储器IC采用了多种封装形式。本文将介绍几种常见的存储器IC封装形式。
如今,计算机几乎无处不在,但"几乎"一词很快就被抛到了九霄云外。 例如,仅在 40 年前,在汽车里安装一台电脑(单数)还是一件令人谈虎色变的事情。 到 2024 年,平均每辆车的各个系统中将有 100 台电脑,运行着 1 亿行代码。
贝哲斯咨询新出版的高带宽存储器(HBM)市场调研报告研究了行业发展历程、市场分布、全球及中国业内龙头企业、细分市场收入、国外与国内市场份额占比、及市场未来走势等,同时阐述了行业主要参与者采用的业务策略,并且讨论了未来市场增长与否及促进或抑制市场发展的因素,旨在
闪存是一种非易失性存储器,广泛用于各种电子设备中,以存储数据。闪存具有快速读写速度、耐用性、低功耗和小型化等优点。它通过电荷存储信息,能够在掉电的情况下保持数据。闪存的典型应用包括USB闪存驱动器、固态硬盘(SSD)、智能手机、数码相机和其他便携式设备中的存储
铁电存储器具有传统的FLASH存储器和EEPROM难以实现的高速性、低功耗和高耐久性等特点,在各行业拥有丰富应用案例。例如在工厂,工厂自动化系统机器人HMI(Human Machine Interface)就采用了铁电存储器。高速写入数据可实时记录机械臂的参数
国家知识产权局信息显示,腾讯科技(深圳)有限公司取得一项名为“高带宽存储器的DERR管脚的训练方法和相关装置”的专利,授权公告号 CN 115116489 B,申请日期为2022年6月。
随机存取存储器(RAM)以其快速的数据读写速度而著称,在计算机运行过程中扮演着至关重要的角色,能够确保计算机系统的流畅运行和快速响应。然而,其致命的弱点在于需要大量的物理空间来构建存储单元,并且对持续的电源供应有着极高的依赖性。一旦电源中断,存储在 RAM 中
研究人员说,他们使用一种叫做硒化铟(In2Se3)的独特材料,发现了一种技术,可以将相变存储器(PCM)的能量需求降低10亿倍。相变存储器是一种能够在没有恒定电源的情况下存储数据的技术。
近日,由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的“国际集成电路展览会暨研讨会”(IIC Shenzhen 2024)于隆重召开,在同期公布的2024“全球电子成就奖(World Electronics Achievement Awards)“的获奖
国家知识产权局信息显示,苏州国芯科技股份有限公司申请一项名为“种共享存储器访问方法装置设备及介质”的专利,公开号 CN 119046204 A,申请日期为 2024 年 8 月。
由于消费型产品终端需求依然疲软,AI服务器支撑起了存储器主要需求。其中NAND闪存产品上,除了企业级SSD有动能支撑外,其他终端产品销售普遍不如预期,降价在所难免。随后传出三星和铠侠开始研究在第四季度进行减产,预计会按照市场实际情况分阶段进行。
国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利,公开号CN 119031719 A,申请日期为2023年6月。