摘要：国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利，公开号CN120050935A，申请日期为2021年12月。

金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利，公开号CN120050935A，申请日期为2021年12月。

专利摘要显示，本公开内容提供了一种用于形成三维存储器器件的方法。该方法包括在垂直于衬底的第一方向上在衬底上设置交替电介质堆叠体；以及在交替电介质堆叠体中形成阶梯结构和分隔壁。阶梯结构与分隔壁在平行于衬底的第二方向上延伸，并且分隔壁与阶梯结构相邻。该方法还包括在阶梯结构上依次形成第一阻挡层和不同于第一阻挡层的第二阻挡层。该方法还包括在分隔壁中形成栅极线缝隙(GLS)开口。GLS开口在第一方向上穿透交替电介质堆叠体，并且在平行于衬底并且垂直于第二方向的第三方向上远离第二阻挡层。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1384次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

来源：金融界