摘要：国家知识产权局信息显示，浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种基于机器学习的分裂栅存储器参数优化方法”的专利，公开号CN120145964A，申请日期为2025年05月。

金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种基于机器学习的分裂栅存储器参数优化方法”的专利，公开号CN120145964A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于机器学习的分裂栅存储器参数优化方法，首先以分裂栅存储器的设计参数构建参数空间，并采用多维拉丁超立方采样进行初始数据采集，随后进行TCAD仿真以获取电学性能参数。然后，根据输入参数与电学性能之间的相关性，基于相关性优化采样策略，并重新选取参数组合进行TCAD仿真，获取优化后的数据集。接着，对数据进行预处理，划分训练集、验证集和测试集，并构建机器学习模型。最终，通过训练后的模型替代部分TCAD仿真，实现快速预测电学性能，从而加速分裂栅存储器的参数优化过程，提高设计效率和准确性。本发明方法可有效减少所需仿真次数，降低计算资源消耗，为存储器器件设计提供高效优化方案。

本文源自金融界

来源：湖北台科技快报