三星电子抢建10nm第七代DRAM测试线，力图重夺市场领先地位
韩媒 Business Korea 昨日（12 月 18 日）发布博文，报道称三星电子正积极投资建设 10 纳米级第七代（1d）DRAM 测试线，旨在提升良率，扩大与竞争对手的技术差距，并力争在明年重新夺回 DRAM 市场的领先地位。
测试线
消息称三星电子已开建1d DRAM测试线；SK海力士为AI数据中心开发61TB SSD
消息称三星电子明年Q1完成10纳米级第七代DRAM测试线2、SK海力士发布适用于AI数据中心的61TB SSD，明年Q3将推出122TB3、韩美半导体推出新一代 HBM 生产设备4、闪迪2025年初正式启用全新商标5、联发科新一代天玑芯片即将发布，预计为天玑8