睿兴科技取得栅极驱动器相关专利,解决现有技术中 ADC 转换速率受限问题
金融界 2024 年 12 月 25 日消息,国家知识产权局信息显示,睿兴科技(南京)有限公司取得一项名为“栅极驱动器、合封芯片及控制系统”的专利,授权公告号 CN 222192135 U,申请日期为 2024 年 4 月。
金融界 2024 年 12 月 25 日消息,国家知识产权局信息显示,睿兴科技(南京)有限公司取得一项名为“栅极驱动器、合封芯片及控制系统”的专利,授权公告号 CN 222192135 U,申请日期为 2024 年 4 月。
在当今电子技术领域,高效能的电源开关驱动器件对于各类电子设备的稳定运行至关重要。萨科微(Slkor)SL27531 系列单通道、高速、低侧栅极驱动器的出现,无疑为这一领域带来了新的突破。
萨科微(Slkor)SL27531系列单通道、高速、低侧栅极驱动器,作为现代电子系统中的关键组件,其在驱动MOSFET和IGBT电源开关方面展现出了卓越的性能和优势。这一系列产品不仅在设计上最大限度地减少了击穿电流,还具备了一系列令人瞩目的技术特点,使其成为众
萨科微(Slkor)SL5350SDR,作为一款高性能的单通道隔离栅极驱动器,自其推出以来,便以其卓越的性能和广泛的应用领域受到了业界的广泛关注。本文将详细解析SL5350SDR的各项技术参数、功能特点、应用场景以及其在现代电子系统中的重要地位,以期为工程师和
近日,IEDM在旧金山举行。在 CMOS 逻辑技术中,晶体管技术的发布引人注目。除了宣布 2nm 代 CMOS 逻辑平台外,台积电还将报告使用单片制造的 CFET(互补 FET)制作逆变器原型的结果。英特尔将推出采用 6 nm 短栅极长度的纳米片 FET 的
在近期举办的IEEE国际电子器件会议IEDM 2024期间,英特尔代工(Intel Foundry)展示了四项半导体技术领域的突破以及相关研究成果。包括:减成法钌互连技术,选择性层转移技术(SLT),环绕栅极硅基RibbonFET CMOS晶体管技术,以及用于