长江存储申请一种半导体器件及其制备方法、存储系统专利，有效减少沟道层和铁电层之间氧化层的形成
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN 119110593 A，申请日期为2023年6月。
氧化层
硅片上的伏安特性
前段时间购买到单晶硅片的碎片。它的一面受到塑料薄膜的保护，去掉之后，下面测量一下它的伏安特性。表面具有 氧化层保护膜，使用鳄鱼嘴夹子夹住，破坏了表面的绝缘氧化层，在DH1766直流电源供电下，可以导电。下面测量一下它对应的伏安特性。