摘要：在半导体制造领域，光刻机被誉为“皇冠上的明珠”，是决定芯片制程精度的核心设备 。随着全球科技竞争日益激烈，光刻机技术成为了各国争夺的制高点。对于我国而言，虽然在半导体产业取得了显著进步，但在光刻机产业链上仍面临着西方的技术封锁，存在诸多“卡脖子”环节。不过，国

在半导体制造领域，光刻机被誉为“皇冠上的明珠”，是决定芯片制程精度的核心设备 。随着全球科技竞争日益激烈，光刻机技术成为了各国争夺的制高点。对于我国而言，虽然在半导体产业取得了显著进步，但在光刻机产业链上仍面临着西方的技术封锁，存在诸多“卡脖子”环节。不过，国内一批优秀企业正积极投身国产替代，在部分领域取得了有望突破的关键进展。

一、光刻机产业链“卡脖子”环节

（一）高端光刻机整机制造

目前，全球高端光刻机市场几乎被荷兰ASML垄断，其极紫外光刻机（EUV）能够实现7nm及以下制程工艺，是制造先进芯片的关键设备 。而我国在高端光刻机整机制造方面与ASML差距明显，国内企业如上海微电子，虽已实现90nm光刻机的量产，28nm浸没式光刻机研发也在推进，但距离EUV光刻机技术仍有较大的技术跨越和研发周期。这主要是因为EUV光刻机涉及光学、机械、材料、电子等多学科领域的顶尖技术，需要高度精密的制造工艺和复杂的系统集成能力，技术壁垒极高。

（二）核心零部件

1. 光源系统：光刻机光源是产生光刻所需光线的关键部件，EUV光刻机使用的极紫外光源技术掌握在少数国外企业手中。例如，美国Cymer公司为ASML的EUV光刻机提供关键的深紫外光源技术 。国内在光源技术上虽然取得了一些进展，如深紫外线（DUV）领域实现了193纳米波长的光源技术，可支持28纳米及以上的芯片制造，但距离EUV光源技术仍有较大差距。EUV光源需要将激光照射在高速喷射的锡液滴上，产生高温等离子体从而发射出极紫外光，这一过程对激光能量、锡液滴喷射精度等要求极高，技术难度极大。

2. 光学镜头：光刻机的光学镜头用于将光源发出的光线聚焦并投射到硅片上，对光刻精度起着决定性作用。德国蔡司为ASML提供高精度的光学镜头，其生产的光学镜头面型精度达到纳米级，能够实现高分辨率的光刻。国内企业如茂莱光学虽已在DUV光刻机投影物镜上实现量产，掌握纳米级光学制造技术，核心光学器件性能达到国际先进水平，但在EUV光学镜头方面，与蔡司等国际巨头相比，仍存在一定差距，在镜片材料、光学镀膜、精密加工工艺等方面有待进一步突破。

3. 精密工作台：光刻机的工作台需要在高速运动下保持纳米级精度，以确保光刻图案的准确转移。荷兰ASML的RENISHAW编码器应用于其双工件台系统，实现了高精度的运动控制 。国内清华大学与华卓精科合作研发的双工作台系统精度已达到10纳米，虽有明显进步，但与国际顶尖的2纳米精度仍有差距，在高精度运动控制算法、机械结构设计和制造工艺等方面还需持续攻关。

（三）光刻胶等关键材料

光刻胶是光刻工艺中的关键材料，对芯片的性能和良率有着重要影响。日本在光刻胶领域处于领先地位，如JSR、东京应化等企业，掌握着高端光刻胶的核心技术 。国内光刻胶企业在技术水平和产品质量上与国外存在差距，虽然南大光电已实现ArF光刻胶的量产，适配28nm逻辑芯片制造，实现全产业链自主化，但在更高端的EUV光刻胶研发上仍面临诸多挑战，如光刻胶的感光灵敏度、分辨率、抗刻蚀性等关键性能指标有待提升，原材料的纯度和稳定性也需要进一步优化。

二、国产替代企业及进展

（一）整机制造

1. 上海微电子：作为国内唯一能量产光刻机整机的企业，是国产光刻机的主力军。目前已成功量产90nm光刻机，并在2.5D/3D先进封装光刻机领域取得突破，分辨率达0.8微米，套刻精度

2. 大族激光：国内唯一光刻机整机上市企业，其自主研发的接近式光刻机已正式投入市场，填补了国内上市企业在光刻机整机领域的空白 。公司构建了“基础器件—整机设备—工艺解决方案”垂直一体化能力，凭借在激光技术领域的深厚积累，为光刻机整机制造提供了技术支撑，产品在一些特定应用场景和中低端市场具有一定竞争力。

（二）核心零部件

1. 茂莱光学：国内唯一实现DUV光刻机投影物镜量产的企业，掌握纳米级光学制造技术，核心光学器件性能达到国际先进水平，打破国外在该环节的垄断 。与上海微电子保持长期深度合作，在DUV光学透镜领域实现全链条自主可控，国内市场占有率位居前列。公司产品的面形精度达λ/50，单机价值量5000万元，技术指标比肩国际巨头，为国产光刻机在DUV领域的发展提供了关键零部件支持。

2. 福晶科技：全球最大非线性光学晶体生产商，市占率超60%，产品用于光刻机激光光源系统，参与中科院EUV光源研发 。公司的非线性光学晶体（LBO/BBO/KTP）可用于把激光波长“变短”，支撑深紫外光源，打破了美国对非线性光学晶体的技术封锁，在光源系统的关键材料方面实现了国产替代突破，为国内光刻机光源技术的发展提供了重要保障。

3. 苏大维格：国内唯一量产光刻机定位光栅的企业，用于28nm光刻机双工件台，定位误差≤1.5nm，打破ASML垄断 。公司的光刻机定位光栅良率提升至88%，独家供应上海微电子光刻机对准系统，替代德国Heidenhain同类产品，成本降低40%，在光刻机精密定位关键零部件上实现国产替代，有效降低了国产光刻机的制造成本，提升了产品竞争力。

4. 奥普光电：依托中科院长春光机所技术，其光栅编码器、K9光学玻璃应用于国产原型机，定位精度达0.8nm，承担国家EUV曝光光学系统研发任务 。公司在精密机械加工、光学材料制备、核心元器件加工等领域掌握几十项关键技术，为光刻机核心系统研发提供基础支撑，在光刻机的精密运动控制和光学系统方面发挥重要作用，推动国产光刻机技术向高端迈进。

（三）光刻胶及配套材料

1. 南大光电：国内唯一量产ArF光刻胶企业，适配28nm逻辑芯片制造，实现全产业链自主化 。公司的ArF光刻胶通过中芯国际28nm验证，全产业链自主化（树脂、光敏剂100%自产），光刻胶良率超90%，在高端光刻胶领域实现了国产替代的重要突破，打破了国外企业在该领域的长期垄断，为我国28nm及以下制程芯片制造提供了关键材料保障。

2. 华特气体：国内唯一同时通过荷兰ASML、日本GIGAPHOTON（光刻机制造商）认证的气体公司，研发的多款光刻混合气可适配不同制程需求 。公司实现50余种特种气体国产替代，产品已切入5nm等先进制程工艺，合作客户覆盖台积电、三星、中芯国际等全球半导体知名企业，在光刻气这一关键配套材料上实现国产替代，满足了国内半导体制造企业对高端光刻气体的需求。

3. 凯美特气：光刻气产品获ASML子公司Cymer合格供应商认证，稀有气体纯化技术填补国内空白 。作为国家专精特新“小巨人”企业，在电子特种气领域突破多项国外技术壁垒，为半导体高端制程提供关键材料支撑，其光刻气产品达到国际先进水平，打破了国外在光刻气领域的技术和市场垄断，为国产光刻机配套材料的国产化做出贡献。

虽然我国在光刻机产业链上面临着西方的技术封锁，在高端光刻机整机制造、核心零部件和关键材料等方面存在“卡脖子”困境，但国内众多企业在国产替代道路上积极探索并取得了一系列令人瞩目的进展。从整机制造到核心零部件，再到关键材料，各个环节都有企业在奋力突破，逐步缩小与国际先进水平的差距。随着国家政策支持、研发投入增加以及产业链上下游协同发展，相信在不久的将来，我国能够打破西方在光刻机产业链上的技术封锁，实现半导体产业的自主可控和高质量发展，在全球半导体产业竞争中占据一席之地。

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来源：擦肩而过一点号