摘要：英飞凌以超过 1 万亿小时现场零失效的极致可靠性、全球首片 300 mm GaN 晶圆的制造突破，提供 40-700 V 全电压段的分立与集成 CoolGaN™ 方案；配套即用型控制器、驱动器及参考设计，帮助消费、工业和汽车客户快速实现更高效率、更高功率密度的

英飞凌氮化镓CoolGaN™ 为消费、工业和汽车应用提供高效率以及高功率密度的分立和集成解决方案。

直播详情

时间：2025年9月25日上午10点

直播概述

英飞凌以超过 1 万亿小时现场零失效的极致可靠性、全球首片 300 mm GaN 晶圆的制造突破，提供 40-700 V 全电压段的分立与集成 CoolGaN™ 方案；配套即用型控制器、驱动器及参考设计，帮助消费、工业和汽车客户快速实现更高效率、更高功率密度的电源系统。本次直播中，我们将为您带来英飞凌氮化镓CoolGaN™全系列产品介绍。

氮化镓晶体管

英飞凌的氮化镓功率晶体管正在推动数字化和低碳化，同时实现高频运行，提高效率并减小消费和工业应用中的系统尺寸。它们的电压等级从 40 V 到 700 V，并有多种封装可供选择。

GaN双向开关

CoolGaN ™ BDS包含真正的常关单片 GaN 双向开关，具有四种操作模式。每个器件都具有两个带有衬底端子和独立隔离控制的独立栅极，从而允许采用共漏极配置，利用相同的漂移区来阻止两个方向的电压和电流。

GaN控制器

AC-DC 控制器经过优化，可使应用 CoolGaN ™器件充分发挥其潜力。

集成驱动器的GaN

CoolGaN ™ Drive 产品系列以 CoolGaN ™晶体管技术为基础，并通过将其与智能栅极驱动器相结合为您的设计带来额外的优势。该解决方案包括单开关和半桥集成驱动器选项，可满足各种需求。

演讲嘉宾

英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区

市场总监

程文涛先生在1999~2004年间从事开关电源设计工作，2004年进入半导体行业，此后一直在电源管理及相关领域从事AE以及市场工作，有着20多年的功率半导体应用和市场的丰富经验。

来源：迪迦奥特