摘要：“我之前说过，预计到2030年，数据中心建设投入的金额将达1万亿美元，现在我确信我们会很快实现这一目标。”英伟达CEO黄仁勋近日在GTC大会上表达对算力需求的信心。

AI服务器需求量到底有多大？关于这一问题的答案，近期业内缺少共识。

“我之前说过，预计到2030年，数据中心建设投入的金额将达1万亿美元，现在我确信我们会很快实现这一目标。”英伟达CEO黄仁勋近日在GTC大会上表达对算力需求的信心。

不过，黄仁勋话音刚落，3月24日，高盛分析团队就下调了机架级AI服务器销量预测。由于产品过渡期影响和供需不确定性等，高盛将机架级AI服务器2025年、2026预期出货量从3.1万台、6.6万台下调至1.9万台、5.7万台。接着，3月25日，阿里巴巴集团主席蔡崇信表示，开始看到人工智能数据中心建设出现泡沫苗头，美国许多数据中心投资公告都是“重复”或相互重叠。3月25日，港股多只AI基建概念股应声而跌。

AI服务器能在多大程度上拉动数据中心建设？供应链上，近日多名存储厂商负责人告诉第一财经记者，他们看到今年数据中心服务器对存储需求的强度与去年相仿。

实际上，为了在数据中心需求增长的过程中争夺市场，存储产业已在进行一场深刻的调整，其中不仅涉及技术变迁，还牵扯到持续多年的NAND堆叠竞争。

数据中心的需求是真的吗？

从公开信息看科技巨头的投资，数据中心建设带有一些不确定性。

根据已披露的资本支出数据统计，市场研究机构TechInsights表示，顶级超大规模云服务商今年将在AI上投资约3200亿美元，投资不减。在国内，阿里巴巴已计划未来三年投入3800亿元用于AI和云计算基础设施建设，腾讯透露今年还将进一步增加资本支出。

不过，与此同时，一些缩减数据中心建设消息传出。有消息称，微软已放弃美国和欧洲原定使用2千兆瓦电力的新数据中心项目，原因是AI计算机集群供应过剩。微软回应，公司可能会在某些领域调整战略步伐或调整基础设施，但仍将在所有地区继续强劲增长。

纷繁的市场消息下，数据中心服务器供应链上的存储厂商，对真实需求已有判断。SSD（固态硬盘）主控芯片厂商慧荣科技总经理苟嘉章告诉记者，今年数据中心对存储需求的强度与去年大致一样，下半年需求可能还会比上半年更好。除了大型跨国企业在投入数据中心建设，马来西亚、印度尼西亚、沙特阿拉伯等多国也在布局国家数据中心。

铠侠电子（中国）董事长兼总裁岡本成之也有类似感受。他告诉记者，眼下AI数据中心服务器相关的需求较为强劲，特别是北美市场。中国数据中心服务器市场的情况虽然与美国不太一样，但整体需求也不错。铠侠预计全年数据中心需求非常坚挺。

NAND闪存厂商预判，服务器需求增长将成为拉动NAND市场回暖的主要动力。铠侠电子（中国）副总裁天野竜二告诉记者，今年上半年手机和 PC 的需求不是那么强劲，但如果考虑到服务器需求较好，铠侠认为今年全年 NAND 市场增长将在10%~15%左右。

数据中心AI服务器的另一变化在于，服务器类型变了。铠侠株式会社首席技术执行官柳茂知告诉记者，市面上出现各种AI服务器，此前以训练型、学习型服务器为主，近段时间受DeepSeek等AI模型推动，出现越来越多推理型服务器。铠侠预计每台AI推理型服务器搭载的存储容量比学习型服务器小，但服务器台数会增加，这对需求将有所拉动。

除了数据中心市场，今年1月DeepSeek走红之后，更多存储厂商认为端侧硬件市场也将迎来变化，一个明显的改变是硬件需要更大存储容量。苟嘉章告诉记者，今年PC OEM（代工厂）已准备推出搭载4T存储的产品，手机存储未来的里程碑则是2T存储被采用。对于AI PC，美光集团副总裁Dinesh Bahal在MemoryS 2025演讲中表示，未来AI PC将需要比当前PC多出80%的内存容量。

“以往以美国公司为主的AI企业很重视算力硬件，其背后，模型训练十分昂贵。DeepSeek带来一种更节省成本的逻辑，对端侧AI应用造成深远影响。” 苟嘉章告诉记者，以往AI PC等概念还像是口号，DeepSeek出来之后，市场真正看到SLM（小模型）能实现，这将带动更多端侧AI应用出现。

在此情况下，一些厂商和机构对硬件设备搭载AI的情况作出最新预计。Dinesh Bahal预计，2025年将有43%的PC具备AI能力，到2028年，这一比例将上升至64%。铠侠预计，预计2028年智能手机的AI搭载率将达到约一半，PC的AI搭载率将达到1/3。

向垂直和水平方向要密度

AI为半导体市场带来的改变不仅是处理器市场向GPU倾斜、内存市场向HBM（高带宽内存）倾斜，近期，更多厂商也看到闪存市场发生的深刻调整。

最主要的两类存储半导体是DRAM、NAND Flash，HBM从属于前者，属于内存产品，与高性能GPU搭配使用可减少数据传输延迟。NAND Flash则是闪存，可制成SSD，在AI服务器中用于存储模型参数、知识库等。

苟嘉章告诉记者，端侧AI应用对存储提出更多要求，虽然存储不做运算，但运行模型涉及存储数据读写。未来随着NAND层数增加，DDR（一种内存技术）工作频率会从3600MHz变为4000MHz起跳，主控芯片需满足闪存性能要求，主控芯片厂商还需要投入新技术研发，用于提升高密度存储可靠性。三星电子软件开发团队执行副总裁吴文旭也认为，随着生成式AI向多模态融合加速演进，对存储设备性能速度、容量、能效优化提出更高的要求。

NAND闪存厂商增加存储密度、降低功耗的趋势近期变得愈加明确。

与CPU、GPU这类处理器芯片相似，存储半导体也通过采用先进制程来提升性能并降低功耗，除此之外，存储半导体更早走上3D堆叠的道路。HBM就是由多个DRAM堆叠而成，NAND堆叠层数也已达200层以上。垂直方向堆叠可增加单位面积存储容量并优化功耗表现，在水平层面，NAND闪存厂商则通过增加每个存储单元存储的数据量来提升存储密度。从SLC、MLC、TLC到QLC技术，每个存储单元能存储的数据更多。

记者留意到，QLC成为近期NAND闪存市场的关键词。无论是SSD主控芯片厂商，还是长江存储、铠侠、Solidigm这种NAND闪存或SSD厂商，都在极力推广QLC产品。

“AI应用越来越多，端侧不论是AI PC还是AI手机，存储密度都会增加，这就是为什么很多厂商很着急地在推QLC。QLC可以增加存储密度，相对TLC可以有更好的性价比。” 苟嘉章告诉记者。

Solidigm亚太区销售副总裁倪锦峰称，企业级QLC SSD受关注的背景是，去年起很多地区数据中心企业级客户加大AIGC基础设施建设，导致空间、能耗、算力与存力问题凸显。

“我们最近与客户的沟通中都会聊到DeepSeek，发现大家对中国存储市场比较期待，但关于AI如何实现更大价值，客户还在思考和讨论。我们关注的一个方向，是基于QLC的大容量存储产品能否在AI存储领域进一步推广。” 天野竜二告诉记者。柳茂知解释，因AI需求增加，市场对GPU服务器的投资急剧增长，AI服务器空间有限且需要控制电力消耗，对SSD的要求往往是大容量、高密度且节能，QLC SSD因此非常合适。

在水平层面要密度，键合技术也成为关键技术。较早布局键合技术的NAND闪存厂商是长江存储。2018年，长江存储推出Xtacking架构，采用混合键合技术。

长江存储市场负责人范增绪解释，这种架构将存储阵列和存储外围逻辑电路分别设计加工制造，再用混合键合方式结合成一个整体，特点是IO速度更快、存储密度更高等。“一些友商原厂在最新一代产品或未来产品路线图上，也采用了类似架构。”范增绪表示。

去年铠侠推出CBA架构，CBA也是一种键合技术。铠侠电子（中国）闪存颗粒技术统括部总经理大久保贵史告诉记者，要提高存储密度不仅要提高层数，还可以横向缩小。由于提高堆叠层数增加的成本和技术难度较大，铠侠也在推进包括水平方向在内的位密度提升。为此铠侠引进CBA，以便缩小NAND Cell（存储单元） 尺寸。

布局键合技术的不仅长江存储和铠侠，三星也在400层NAND产品中应用键合技术。近期有消息称，三星电子与长江存储达成了一项3D NAND混合键合专利许可协议，用于三星下一代堆叠层数400层以上的闪存芯片研发，三星电子和长江存储未回应此消息。

迈向400层

要增加存储密度并优化功耗表现，NAND 3D堆叠的竞争也十分激烈。近期，战火开始燃到400层。

去年11月，SK海力士宣布开始量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，不久后，三星电子的半导体研究所就开发出400层NAND闪存技术。三星电子在今年2月的国际固态电路会议上展示了400层 TLC NAND的一些信息，该产品仍待量产。有消息称，SK海力士也在研发400层NAND技术，并计划在2025年年底前为大规模生产做好准备。往后看，“堆叠战”还会持续下去，2030年前后，三星和铠侠都计划向1000层NAND闪存迈进。

“NAND闪存产品的层数正从270层、290层左右一下跳到400层以上。层数迭代的节奏大约是三年一代。” 苟嘉章告诉记者，400层NAND闪存产品预计会在今年下半年，或者在今年底、明年初面世，量产时间则预计是在2026年下半年。

NAND闪存原厂的资本支出也在逐渐倾向于先进产能。“原厂在产能资本支出上正在减少，同时存储技术朝更先进制程迁移。” CFM闪存市场总经理邰炜观察到，在供应端，整体wafer（晶圆）产出相比以往的增量将明显减少，存储原厂的资本支出将更多投入更先进的封装技术或产品研发上，更侧重HBM、1c、1γ和200层、300层这些先进产能。

生产计划上，NAND闪存厂商则选择循序渐进。天野竜二告诉记者，铠侠目前主流产品的层数是BiCS5（112层），预计到明年3月前，BiCS5和BiCS8（218层）是最主要出货的产品，2025年铠侠的设备投资则将以218层产品为主。

天野竜二表示，BiCS8目前主要在日本中部地区三重县四日市的工厂生产。今年秋天起，铠侠会在日本东北地区的北上工厂第二个Fab工厂开始生产218层。今年2月，铠侠推出BiCS10（332层），BiCS10量产时间未定，会根据市场情况决定。

望向更高层数，天野竜二告诉记者，随着NAND层数增加，蚀刻难度增加，铠侠最主要的努力之一是提升蚀刻工艺。大久保贵史则告诉记者，从技术上看，1000层以上NAND是可以实现的，但取得性能和成本之间的适当平衡非常重要。随着层数上升，难度上升，成本也大幅上升，因此研发1000层以上NAND还要看市场对于密度、容量的需求。

也有业内人士认为，虽然NAND闪存厂商未来将推出的产品在密度和功耗上有更好表现，但要在AI数据中心使用仍需一个过程。苟嘉章告诉记者，预计新一代NAND不会一开始就面向数据中心，因为数据中心需要的是稳定、经市场验证的技术，新一代NAND可能会先面向对速度要求较高的手机。

来源：第一财经