国内知名快充芯片大厂推出一款全新44 W UFCS单A口快充方案!

B站影视 韩国电影 2025-09-02 10:23 2

摘要:在 2025 年 5 月的“融合快充产业发展大会” 上,华为、荣耀、OPPO、vivo 四大厂商联合签署了 UFCS 2.0 标准,通过协议实现了 40W 无鉴权功率互通,意味着不同品牌的设备和充电器之间可以直接高速充电,无需复杂认证流程。

前言

在 2025 年 5 月的“融合快充产业发展大会” 上,华为、荣耀、OPPO、vivo 四大厂商联合签署了 UFCS 2.0 标准,通过协议实现了 40W 无鉴权功率互通,意味着不同品牌的设备和充电器之间可以直接高速充电,无需复杂认证流程。

基于此,智融科技也最新推出了一款支持 UFCS 44 W 快充协议的单 A 口快充方案,支持最高44W (11V/4A),兼容33W(11V/3A),支持私有协议定制。该方案内置智融自研的 PWM 反激控制器 SW1136、快充协议芯片 SW2313S 以及同步整流控制器 SW1608,配合同步整流 MOSFET,功率密度可达约1.04W/cm³,效率最高达到了91.94%,且空载功耗满足能效规范,通过多种保护测试,EMI 符合 EN55032B 标准,接下来充电头网将详细介绍一下这款方案以及这款方案内置的多款芯片。

智融科技44W UFCS 单A口方案

方案正面一览,其上设有变压器、X2电容、保险丝、Y电容、电解电容、固态电容,Type-A接口。

方案背面一览,设有PWM反激控制器SW1136、协议芯片SW2313S以及同步整流控制器SW1608,配合 GaN 开关管与同步整流 MOSFET,让整个方案都实现了高效率和高功率密度。

方案完整电路图一览。

该方案实测长度为53.5mm。

宽度为41.93mm。

高度为18.65mm。

重量为36.9mm。实测功率密度约为1.04 W/cm³。

给样品进行通电,使用ChargerLAB POWER-Z KM003C测得该方案支持UFCS 44W、FCP、SCP、AFC、QC3.0、PD3.0、TFCP、DCP充电协议。

读取UFCS快充协议电压档位,支持5-11V4A一组UFCS快充档位。

根据相关测试报告,可以看出这款方案输入电压范围为 90-264V,频率 47-63Hz,覆盖常见电网规格;输出支持 5V3A、9V3A、11V4A 模式,效率在 115V 输入时达 91.78%,230V 输入时达 91.94%,纹波小于 200mV@100V,过流保护、输出短路保护等安全指标均达标,初级 GaN 应力最大 645V,SR MOSFET 应力最大 51V,EMI 符合 EN55032B 标准。

效率与纹波测试显示,空载功耗在 230V 输入时为 64mW,符合要求;负载状态下,11V4A、9V3A、5V3A 模式在不同电压输入时均有较好效率表现,在230V输入11V4A 满载效率达到最高,为91.94%,纹波随负载和输入电压变化,最高为 264mV。

内置芯片

接下来介绍一下这款方案内置的三款核心芯片,分别是PWM反激控制器 SW1136、快充协议芯片SW2313S以及同步整流控制器SW1608.

PWM 反激控制器 SW1136

SW1136 是智融研发的高性能多模式电流型 PWM 反激控制器,面向离线式反激变换器应用,支持 8V~90V 超宽 VDD 供电,适配 PD 适配器等宽输出场景。通过自适应切换CCM(满载)/QR(重轻载)模式,优化全负载段效率,空载待机功耗低于 75mW 。

该芯片集成完善保护体系,包括 Brown - in/out、UVLO、VDD 过欠压、输出过欠压、逐周期限流、过载、CS 开路及片内外温保等功能;同时具备智能谷底锁定、内置软启动、驱动能力动态调整与频率抖动技术,提升 EMI 性能,采用 SOT23 - 6 封装,适用于适配器、充电器、AC - DC 开关电源等领域 。

快充协议芯片 SW2313S

SW2313S 是智融研发的高集成度 Type - A 口快充协议控制器,内置 32bit 高性能 MCU 内核,支持在线升级、固件加密,配备 UART、多路 GPIO 与 GPADC 接口,支持 VFCP、UFCS、QC3.0/QC2.0 等快充协议,还支持私有协议定制,满足多样化快充需求。

SW2313S支持 3.3V~13V 调压(10mV 步长)、0.3A~5A 限流(25mA 步长),集成光耦反馈、CV/CC 环路及 VIN 快速放电、母线电压检测功能;具备输入过压 / 欠压、输出过流、芯片 DIE 及 NTC 过温保护机制,采用 SSOP10 封装,适用于适配器、插排等快充应用场景 。

同步整流控制器 SW1608

SW1608是一款针对离线式反激变换器的副边同步整流管(MOSFET)驱动的高性能控制器,采用SOT23-6封装,其支持6V或者9V VCC供电,并且VCC具有自供电功能,无需辅助绕组供电并支持宽输出电压范围, 配合 MOSFET 使用替代肖特基整流二极管,可以显著提高系统效率。

SW1608支持600KHz工作频率,并支持 High Side/Low Side 多种应用场景,支持 CCM/QR/DCM 多种工作模式。此外其内部集成智能导通检测功能,可以有效防止 DCM 振铃引起的误导通;芯片还具有超低关断传输延迟时间和强下拉电流能力,可以显著降低整流管的电压应力。

充电头网拆解了解到,智融科技SW1608此前还被雅晶源65W 2C1A氮化镓充电器、安克Nano 70W 2C1A氮化镓充电器、倍思65W 2C1A氮化镓快充充电器、绿联65W 2C1A拉拉线氮化镓充电器等产品采用。

针对 264V 交流输入条件下,测试该方案输出短路保护(空载→短路、满载→短路)及初级 GaN 器件在空载、满载正常输出时的电应力 ;短路工况下电源可快速触发过流保护逻辑,避免持续短路损伤;GaN 器件的电压应力峰值在空载、满载时均未超出额定耐压,说明器件选型匹配、拓扑设计合理 。测试结果证明,电源在异常短路与正常负载下,核心保护机制有效、功率器件工作安全裕量充足。

针对 264V 输入的情况下,测得该方案同步整流MOS管在空载、满载正常输出时的电应力波形,同时采集 90V 和 264V 输入下满载输出的CS信号,计算得磁密 Bm 分别为 0.285T、0.218T,可以看出次级同步整流与变压器设计匹配度高,方案在宽电压输入、全负载区间内,核心部件工作在安全可靠区,可支撑 40W 快充的稳定运行。

该 EMI 辐射发射测试为该方案在11V4A 输出,110V、230V 输入条件下,采集 3 米距离处水平 / 垂直方向、30MHz~1GHz 频段的辐射信号;测试数据显示,所有频点修正后辐射值均低于法规限值,且存在正裕量,说明电源的 EMC 设计有效,满足电磁兼容法规要求,可保障与周边设备的电磁兼容性,支撑产品合规认证与稳定运行 。

充电头网总结

智融科技推出的这款 44 W UFCS 单 A 口方案整机长 53.5 mm、宽 41.93 mm、高 18.65 mm,重量仅 36.9 g。方案核心采用智融自研的 PWM 反激控制器 SW1136、快充协议芯片 SW2313S 以及同步整流控制器 SW1608,辅以同步整流 MOSFET,将功率密度提升至 1.04 W/cm³。

该方案输入电压为90–264 VAC、频率覆盖 47–63 Hz,配合高效的多模式电流型反激控制与副边同步整流设计,在 230 VAC 条件下空载损耗为 64 mW。实际测得其支持 UFCS 44 W、FCP、SCP、AFC、QC3.0、PD3.0、TFCP 与 DCP 等主流快充协议,效率最高达到了91.94%,并通过了多种保护测试,EMI 性能符合 EN55032 Class B 标准。

智融科技致力于为客户打造多元化、高性能的产品解决方案,帮助工程师缩短产品研发周期,提升新品的研发效率,助力客户实现PD快充产品的小巧化以及能效升级,以提升终端用户的使用体验。

来源:充电头网

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