兼具 DRAM、NAND 优势！新记忆体「UltraRAM」已準备投入量產

摘要：ULTRARAM（或UltraRAM）是一款结合了 DRAM 的高速与NAND Flash 的非挥发性特性的新型通用记忆体技术，它採用III-V族半导体材料并利用量子穿隧效应来储存资料。该技术由 Quinas Technology 开发，具备超低功耗、极高的

ULTRARAM（或UltraRAM）是一款结合了 DRAM 的高速与NAND Flash 的非挥发性特性的新型通用记忆体技术，它採用III-V族半导体材料并利用量子穿隧效应来储存资料。该技术由 Quinas Technology 开发，具备超低功耗、极高的耐用性（写入寿命可达数百万次），以及在完全断电下能长时间保存资料的特性。

ULTRARAM 的特性与优势

通用记忆体特性：: 结合了DRAM 的速度和NAND Flash 的非挥发性，可将记忆体和储存功能合二為一。

低功耗：: 其切换能耗远低於现有的记忆体技术，是DRAM 的百分之一，是NAND Flash 的千分之一。

高耐用性：: 写入寿命可达数百万次，比NAND Flash 高出数千倍。

长时间资料保存：: 在完全不通电的情况下，资料能保存长达千年。

高速传输：: 传输速度预期超越DRAM。

技术原理

ULTRARAM 运用III-V族半导体中的III-V族化合物半导体（如砷化銦InAs 和锑化铝AlSb）製成三层式结构。该结构在不同电压下可在高电阻（储存资料）和高导电（读写资料）之间切换，实现资料的保留。

应用前景

ULTRARAM 的革命性特性使其非常适合应用於伺服器、资料中心和3C 消费型產品。在伺服器和资料中心中，它可以充当记忆体和硬碟的结合，提升性能并减少断电时的资料损失。在消费级產品中，则可将DRAM 与SSD 二合一，节省空间。

现况与未来

ULTRARAM 目前正处於从大学研究走向商业化量產的阶段。 Quinas Technology 已成功开发出可扩展的磊晶製程，并正与合作伙伴探讨试產可能性，预期将為电脑硬体產业带来革命性的变化。