摘要：根据中国新闻网、中国经营报等权威媒体报道，美国商务部于 2025 年 8 月 29 日正式宣布撤销三星中国半导体有限公司、SK 海力士半导体（中国）有限公司的 “经验证最终用户”（VEU）授权。这一消息已通过联邦公报文件及韩国产业通商资源部的回应得到多重确认，

一、美国撤销三星、SK 海力士 VEU 授权事件的真实性及 VEU 制度解析

根据中国新闻网、中国经营报等权威媒体报道，美国商务部于 2025 年 8 月 29 日正式宣布撤销三星中国半导体有限公司、SK 海力士半导体（中国）有限公司的 “经验证最终用户”（VEU）授权。这一消息已通过联邦公报文件及韩国产业通商资源部的回应得到多重确认，真实性确凿。

VEU 制度的核心机制：

VEU（Validated End-User）是美国商务部工业与安全局（BIS）于 2007 年设立的出口便利化制度，旨在简化对 “低风险” 外国实体的出口流程。被列入 VEU 清单的企业可直接进口美国受管制物项（如半导体设备、技术），无需逐笔申请出口许可证。其核心逻辑是通过 “预先审查 + 持续合规” 降低监管成本，同时确保技术不被转用于军事或敏感领域。

此次撤销的实质影响：

供应链审查升级：三星西安工厂（全球最大 NAND 闪存基地之一）和 SK 海力士无锡工厂（DRAM 主力产线）将失去 “快速通道”，未来进口美国设备需逐笔申请许可，审批周期可能长达数月。

技术升级受阻：若设备断供，10 纳米级 DRAM 和 128 层以上 NAND 技术升级将停滞，直接影响 HBM（高带宽内存）等高端产品的量产能力。

二、对三星、SK 海力士在华工厂的直接冲击

（一）产能与技术迭代风险

全球供应链波动：三星和 SK 海力士在华产能占全球 DRAM 的 70%、NAND 的 50%，若设备维护或升级中断，可能引发全球存储芯片价格上涨。例如，SK 海力士无锡工厂承担其全球 40% 的 DRAM 产能，若 10 纳米以下先进制程设备受限，其 DDR5 市场份额可能被美光挤压。

HBM 生产瓶颈：HBM 需依赖 10 纳米级 DRAM 堆叠技术，而美国限制措施可能导致两家企业在华 HBM 产线无法导入 EUV 光刻机等关键设备，延缓其 HBM3E（第五代高带宽内存）的量产进度。

（二）战略调整压力

产能外迁博弈：三星已计划将部分 NAND 产能转移至得州工厂，SK 海力士则考虑在韩国扩建 HBM 产线。但外迁需 2-3 年周期，短期内仍需依赖中国工厂维持全球供货。

技术路径妥协：为规避限制，两家企业可能采用 “非美设备替代方案”，例如引入日本 SCREEN 的涂胶显影设备或国产刻蚀机，但这将导致良率下降约 5-10%，成本增加 15-20%。

美国商务部撤销三星和海力士在华工厂的 VEU 授权，核心影响在于韩企在华的存储芯片（DRAM、NAND）产能扩张、技术迭代可能因美国设备 / 技术受限而放缓。这为国内芯片产业链在存储替代、设备国产、封测承接、材料配套等环节创造了替代机遇，以下从产业链各环节梳理相关龙头上市公司及其受益逻辑：

一、存储芯片及模组环节：承接市场份额，加速国产替代

三星和海力士是全球 DRAM（占全球约 70% 份额）和 NAND（占全球约 50% 份额）的绝对龙头，其在华产能受限将直接为国内存储厂商释放市场空间。

兆易创新：国内 NOR Flash 龙头（全球市占率约 19%），同时通过子公司长鑫存储（DRAM）和合肥长鑫布局 DRAM 赛道，是国内存储芯片自主化的核心企业。韩企产能受限后，其 NOR Flash 在消费电子、物联网的替代空间扩大，DRAM 业务也有望加速爬坡。

江波龙、佰维存储：存储模组核心厂商，专注于消费级（手机、PC）、工业级（车规、数据中心）存储模组。若韩企原厂芯片供应或技术支持受限，国内模组厂商可能更多采用国产存储芯片（如兆易创新、长鑫存储），同时凭借本土化服务优势抢占市场份额。

澜起科技：全球内存接口芯片龙头（DRAM 配套，市占率超 40%），存储芯片市场需求稳定 + 国产替代背景下，其 DDR5 接口芯片量产进度领先，韩企技术迭代放缓将进一步巩固其竞争地位。

二、芯片制造设备环节：国产设备加速替代美国设备

三星和海力士在华工厂若无法继续使用美国设备（如刻蚀、薄膜沉积、检测设备等），国内设备厂商将迎来订单替代机遇。

北方华创：国内半导体设备综合龙头，覆盖刻蚀机、PVD/CVD（薄膜沉积）、扩散炉等核心设备，可满足存储芯片中低端制程（19nm 及以上）制造需求。韩企设备受限后，其在存储产线的设备导入可能加速。

中微公司：刻蚀设备龙头，在 3D NAND（存储芯片主流技术）刻蚀领域技术领先，已进入长江存储等国内存储大厂供应链。韩企若减少美国刻蚀设备采购，中微的 3D NAND 刻蚀机有望承接替代需求。

精智达：存储芯片检测设备核心厂商，产品覆盖 DRAM/NAND 的电性检测、外观检测，已进入长鑫存储、长江存储供应链。韩企在华工厂检测设备采购受限，将为其创造增量订单。

三、封测环节：承接韩企外溢订单，巩固本土地位

存储芯片封测是韩企在华业务的重要环节（如三星西安工厂配套封测），其产能受限将为国内封测厂商释放业务空间。

通富微电：国内存储封测龙头之一，拥有 DRAM 封测（LPDDR、DDR5）和 3D NAND 封测能力，与长鑫存储、长江存储深度合作。韩企封测产能收缩后，其有望承接更多中高端存储封测订单。

太极实业：旗下海太半导体是三星电子 DRAM 封测核心合作伙伴（占三星全球 DRAM 封测约 20%），若三星在华封测受设备限制，太极实业可能通过国产设备替代加速承接内部转移订单，同时扩大与国内存储厂商的合作。

长电科技：全球第三大封测厂商，存储封测业务覆盖低中高端全品类，客户包括美光等存储巨头。韩企份额收缩后，其凭借规模化优势和技术积累，有望抢占更多全球存储封测市场份额。

四、材料环节：配套存储制造 / 封测，需求加速释放

存储芯片制造（硅片、靶材）和封测（封装材料）的材料需求，将随国产替代加速而增长。

华海诚科：国内环氧塑封料（EMC）龙头（存储封测核心材料，用于芯片与基板封装），产品已进入长电科技、通富微电等封测大厂，且适配 DRAM/NAND 封测场景。韩企封测材料采购受限，其国产 EMC 替代空间将显著扩大。

联瑞新材：球形硅微粉全球龙头（存储封装关键填充材料，影响封装导热性、稳定性），产品用于 3D NAND 等高端存储封装，客户包括日月光、长电科技。存储封测产能向国内转移，将直接拉动其硅微粉需求。

江丰电子：超高纯溅射靶材龙头（芯片制造核心材料，用于薄膜沉积），已批量供应长江存储、长鑫存储，覆盖 DRAM/NAND 制造环节。韩企在华工厂若减少美国靶材采购，其国产靶材渗透率将进一步提升。

沪硅产业：国内大硅片（存储芯片制造基础材料）龙头，12 英寸硅片已进入长鑫存储、长江存储供应链，可满足 DRAM/NAND 中低端制程需求。韩企硅片采购受限或产能收缩，将加速其国产大硅片替代进程。

总结：替代机遇的核心逻辑

VEU 授权撤销本质是通过限制韩企在华的 “美国技术依赖”，间接削弱其在全球存储市场的产能优势。国内企业的机遇源于 “填补供给缺口” 和 “技术自主化加速”：

存储芯片及模组：兆易创新、江波龙等通过产品迭代抢占韩企让出的中低端市场；

设备：北方华创、中微公司等借助国产设备成熟度提升，替代美国设备进入韩企在华工厂或国内存储产线；

封测：通富微电、太极实业等承接韩企外溢订单，同时深化与国内存储厂商的绑定；

材料：华海诚科、联瑞新材等通过性能达标，实现存储制造 / 封测材料的国产替代。

这些环节的龙头公司均已具备一定技术积累和客户基础，事件将进一步加速其市场份额提升和技术迭代节奏。

来源：全产业链研究一点号