摘要:ç䏿±½è½¦è®¯ æ®å¤åªæ¥éï¼ä¸èçµåå ä»¶ååå¨è£ ç½®æ ªå¼ä¼ç¤¾ï¼Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
ç䏿±½è½¦è®¯ æ®å¤åªæ¥éï¼ä¸èçµåå ä»¶ååå¨è£ ç½®æ ªå¼ä¼ç¤¾ï¼Toshiba Electronic Devices & Storage Corporationï¼æ¨åºä¸æ¬¾650V碳åç¡ ï¼SiCï¼MOSFETï¼æè½½å ¶ææ°ç第ä¸ä»£SiC MOSFETè¯çï¼å¹¶éç¨è¡¨é¢è´´è£ TOLLå°è£ ãè¿äºæ°å¨ä»¶éç¨äºå·¥ä¸è®¾å¤ï¼ä¾å¦å¼å ³çµæºåå ä¼åçµæºçåçè°èå¨ãMOSFETâTW027U65CâãâTW048U65CâåâTW083U65Câ峿¥èµ·æ¹éåºè´§ã
å¾çæ¥æºï¼ ä¸è
è¿äºæ°äº§åæ¯ä¸è第ä¸ä»£SiC MOSFETï¼éç¨éç¨è¡¨é¢è´´è£ TOLLå°è£ ï¼ä¸TO-247åTO-247-4L(X)çéåå°è£ ç¸æ¯ï¼è¯¥å°è£ å¯å°å¨ä»¶ä½ç§¯ç¼©å°80%以ä¸ï¼å¹¶æé«è®¾å¤çåçå¯åº¦ã
TOLLå°è£ è¿å ·ææ¯éåå°è£ æ´ä½çå¯çé»æï¼æå©äºéä½å¼å ³æèãä½ä¸ºå端åå°è£ ï¼å¼å°æè¿æ¥å¯ç¨ä½æ æé©±å¨çä¿¡å·æºç«¯åãè¿éä½äºå°è£ å æºæçº¿çµæçå½±åï¼å®ç°äºé«éå¼å ³æ§è½ï¼ä»¥TW048U65C为ä¾ï¼å ¶å¯¼éæèåå ³ææèå嫿¯ä¸èç°æäº§åä½çº¦55%å25%ï¼è¿å°æå©äºéä½è®¾å¤çåçæèã
来源:盖世汽车资讯JJ