摘要：据telesputnikru网3月20日报道，俄罗斯成功研发出首套用于300毫米硅片的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）集群装置，填补了国内微电子制造领域的关键技术空白。该设备由精密工程研究所（NIITM，隶属于Element集团）自主设计，标志着俄罗斯摆

据telesputnikru网3月20日报道，俄罗斯成功研发出首套用于300毫米硅片的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）集群装置，填补了国内微电子制造领域的关键技术空白。该设备由精密工程研究所（NIITM，隶属于Element集团）自主设计，标志着俄罗斯摆脱了对进口设备的依赖，此前同类工艺设备长期依赖进口，国产设备仅覆盖200毫米基板。

300毫米直径晶圆是全球主流标准，可承载更多芯片，显著降低生产成本。新装置不仅能处理300毫米硅片，还可兼容200毫米规格，提升生产灵活性。NIITM负责人Georgy Yeritsyan表示，设备核心部件已实现国产化，性能可与国际同类产品媲美。此举将强化俄罗斯技术主权，助力其成为全球微电子设备供应的替代选项，尤其为受制裁国家提供技术自主路径。

值得注意的是，同期美国微软公司推出全球首款拓扑超导量子芯片Majorana 1，采用新型架构，有望推动百万量子比特计算机的研发。俄美两国在半导体与量子计算领域的突破，凸显全球科技竞争的多元格局。

（编译：梓柠）

来源：邮电设计技术