摘要：国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“ 存储器元件的制造方法及钨层的制造方法 ”的专利，公开号CN 119629998 A，申请日期为2023年9月。

金融界2025年3月19日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“ 存储器元件的制造方法及钨层的制造方法 ”的专利，公开号CN 119629998 A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，一种存储器元件的制造方法，可应用于具有高容量及高性能的三维NAND存储器元件。在三维NAND存储器元件的制造中，控制栅极(字元线)的材质为钨。钨层的形成方法，包括：进行成核步骤以及主体形成步骤。在成核步骤与主体形成步骤中的至少一个步骤中，氢的流量为1000 至20000sccm。在成核步骤之后也可以进行至少一次的浸泡步骤，浸泡氮气。钨层中的钨的晶粒尺寸为70nm以上。

来源：金融界