摘要：据globenewswire网3月17日报道，美国半导体公司 Pakal Technologies 公司昨日在亚特兰大应用电力电子会议 APEC 上，宣布推出其突破性的 650V IGTO(t) 功率半导体。此次发布标志着硅功率半导体技术的重大进步。

据globenewswire网3月17日报道，美国半导体公司 Pakal Technologies 公司昨日在亚特兰大应用电力电子会议 APEC 上，宣布推出其突破性的 650V IGTO(t) 功率半导体。此次发布标志着硅功率半导体技术的重大进步。

首批商业发货的是采用 TO-247 封装并附带二极管的第二代 650V、40A 器件。

Pakal 的 IGTO(t) 是 IGBT 发布 50 年以来首款新型硅高压 (>600 V) 电源开关。IGTO(t) 满足了对高性能、高性价比硅电源开关的迫切需求。

IGTO(t) 采用与 IGBT 相同的开关机制，因此可直接替代 IGBT。此外，由于其专有的卓越操作物理特性，与领先的 IGBT 相比，第二代 IGTO(t) 还可大幅降低 25% 的传导损耗——在实际工作温度下，同时保持相当的开关损耗。这项创新可提高目前使用 IGBT 的许多应用的能源效率和性能。

Pakal 联合创始人 Richard Blanchard 博士说：“我们的第二代器件表现出了值得关注的早期性能，我们的下一代产品将大幅提升硅片的性能优势，从 650 伏一直到 6500 伏。到 2032 年，高压电源开关市场规模预计将超过 360 亿美元。”

（编译：天容）

来源：邮电设计技术