薄膜铌酸锂概念深度解析：AI 算力高速互联的新引擎AI 算力高速互联

摘要：性能颠覆：集成铌酸锂微波光子芯片速度比传统电子处理器快 1000 倍，单通道速率超 200G，未来支撑 1.6T 以上光模块；市场爆发：QYResearch 预计 2034 年全球 TFLN 调制器市场规模达 15.1 亿美元，2025-2034 年 CAGR

2025 年，薄膜铌酸锂（TFLN ）因 **“超高速、低能耗、高集成”** 特性，成为 AI 算力高速互联的核心突破口。关键数据：

性能颠覆：集成铌酸锂微波光子芯片速度比传统电子处理器快 1000 倍，单通道速率超 200G，未来支撑 1.6T 以上光模块；市场爆发：QYResearch 预计 2034 年全球 TFLN 调制器市场规模达 15.1 亿美元，2025-2034 年 CAGR46.9%；需求驱动：AI 算力高速互联（大模型训练、智算中心）、光量子通信爆发，下游国产替代需求强烈。

薄膜铌酸锂产业链覆盖上游材料、中游产品、关联企业 ，构建 “材料 - 器件 - 光模块 - 应用” 闭环，每个环节对应核心标的：

2025 年，薄膜铌酸锂技术突破集中在 **“薄膜化 + 集成化”** ：

天通股份、沪硅产业实现6 英寸铌酸锂晶片量产 （传统为 2-4 英寸），降低成本 30%；光库科技、德科立突破超高速调制器量产 （良率超 90% ），支撑 800G/1.6T 光模块需求；中际旭创、新易盛验证 “硅光 + TFLN” 集成方案，解决高带宽与低功耗矛盾 （功耗降低 40% ）。

薄膜铌酸锂调制器良率提升缓慢 （如光库科技量产良率低于预期），或影响光模块性能与成本。

海外企业（Lumentum ）加速布局 TFLN 调制器，国内龙头若无法保持技术领先 ，或面临份额下滑。

若 “新基建补贴、信创支持” 落地缓慢，将影响企业研发与量产节奏，拖累业绩。