英伟达GTC前瞻2：Rubin与HBM4能否如期登场？

摘要：英伟达将于3/17-3/21举办GTC大会，我们此前预计将发布Blackwell Ultra GB300和B300系列GPU，并可能提及下一代Rubin系列。鉴于中美关系、产业链成熟度及芯片设计等因素限制，我们对Rubin系列今年内量产持谨慎乐观态度，认为该系

英伟达将于3/17-3/21举办GTC大会，我们此前预计将发布Blackwell Ultra GB300和B300系列GPU，并可能提及下一代Rubin系列。鉴于中美关系、产业链成熟度及芯片设计等因素限制，我们对Rubin系列今年内量产持谨慎乐观态度，认为该系列或最快于26年推出。但公司管理层最近表示，Vera Rubin (CPU/GPU) 架构的过渡工作正全面推进，并在FY25Q4电话会中承诺将在GTC展示后Rubin产品，因此，我们认为VR架构很可能在GTC亮相。Wccftech报道，海力士联手台积电于4Q24完成英伟达HBM4流片，采用新一代垂直封装技术，或加速以HBM4为核心的Rubin系列产品推出。

核心观点

全新Rubin系列或采用台积电N3工艺，搭载HBM4内存

英伟达下一代CPU/GPU将采用全新Vera Rubin架构，延续以少数族裔和女性科学家命名传统，Vera Rubin是著名女天文学家。R100 GPU预计采用台积电N3工艺（对比B300或采用N4P工艺）与4倍掩膜版（Reticle）设计。我们预计首批数据中心版Rubin GPU将配备8颗16-Hi HBM4（48GB），内存共达384GB，并集成全新台积电N3工艺的Vera CPU，成为VR平台。相比之下，上一代Grace CPU采用N5工艺，搭载在GH200 和GB200上。互联传输方面，Rubin平台支持3600GB/s NVLink 6交换机，1600Gb/s CX9网卡与Spectrum X1600交换机（CPO设计）。

Rubin搭载HBM4，采用3D垂直堆叠；海力士技术及量产进展行业领先

Rubin GPU将配备8颗16-Hi HBM4，内存达384GB。HBM4相比HBM3E，采用3D封装逻辑基础裸片（Logic Base Die），支持客户专有IP集成。其3D封装实现存储与逻辑垂直堆叠，简化中介层复杂布线设计，缩小封装尺寸，提高速度与效率。从行业进展看，海力士HBM4量产时间或领先行业，有望2H25量产以配合Rubin推出。初期或采用相对成熟的1β工艺以保障良率。其HBM4基于台积电3nm Base Die，或仍采用MR-MUF技术通过熔化堆叠DRAM之间的凸块连接芯片，并以液态环氧模塑料（EMC）填充空隙。美光HBM4推进较慢，预计于26年量产。其虽同样采用第五代10nm 1βDRAM，但或率先采用无助焊剂键合技术（Fluxless Bonding）以减少键合DRAM的氧化膜，并降低堆叠间距。定制版HBM4E或于27-28年推出。三星HBM4则选用第六代10nm 1c DRAM，目前或已采用自研4nm工艺试产。但我们认为，三星试图通过1c工艺弯道超车，但因良率问题仍需观察。

风险提示：技术落地缓慢、芯片需求不及预期、宏观经济不确定性。