摘要：美光将群联的PS5029-E29T固态硬盘主控芯片与自家的276层G9 QLC NAND闪存相结合，采用无DRAM的设计。制造商在其美光2600系列中实现了自适应写入技术（Adaptive Write Technology，AWT），该技术通过使用不同的NAN

美光推出了一款面向OEM的新款客户端固态硬盘美光2600，有3种外形规格可供选择，在各种存储容量下均能提供PCIe 4.0速度。

美光将群联的PS5029-E29T固态硬盘主控芯片与自家的276层G9 QLC NAND闪存相结合，采用无DRAM的设计。制造商在其美光2600系列中实现了自适应写入技术（Adaptive Write Technology，AWT），该技术通过使用不同的NAND模式（SLC、TLC和QLC）作为动态缓存来提升固态硬盘的性能，从而提高持续的QLC写入性能。

自适应写入技术首先以SLC模式写入新数据。一旦SLC满了，它就会切换到TLC模式。在SLC和TLC都满了之后，当固态硬盘处于空闲状态时，该技术会将数据转移到QLC模式。最后，它会释放SLC和TLC区域，以便存储新数据。通过在NAND模式之间切换，自适应写入技术确保了固态硬盘能够提供尽可能快的写入速度。

美光2600固态硬盘有2230、2242和2280三种外形规格可供选择，采用单面设计。因此，该硬盘能够适应包括桌面电脑、笔记本电脑以及手持游戏机（如Steam Deck或联想拯救者Go）在内的各种设备。客户可以选择512GB、1TB或2TB三种存储容量。目前没有提及4TB或8TB型号。

在性能方面，美光2600固态硬盘的顺序读取和写入速度最高可达7200MB/s和6500MB/s。其随机读取和写入速度分别可达1000000IOPS和1100000IOPS。然而，这些规格仅适用于最高容量型号。1TB和512GB型号的性能指标略有降低。所有三种容量的读取和写入延迟都很不错且保持一致。

美光已经开始向OEM厂商发货不同型号的美光2600固态硬盘。

来源：CHIP奇谱