摘要：三星已确认从V10（第10代）开始，将使用中国NAND制造商YMTC的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。

在NAND向400层以上迈进攻坚之际，三星做出了新的选择。

韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用中国NAND制造商YMTC的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。

YMTC是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，因此在相关技术上拥有强大的专利积累。三星电子选择通过与YMTC达成许可协议，而不是冒险规避专利，来化解未来可能出现的风险。

根据ZDNet Korea的报道，三星电子最近与YMTC签署了3D NAND混合键合专利的许可协议。

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V10 NAND首次应用混合键合

V10是三星电子计划最早在今年下半年开始量产的下一代NAND。随着NAND技术的不断进步，存储单元会逐渐垂直堆叠，V10预计将达到420到430层。

V10 NAND将采用多项新技术，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术。

W2W混合键合是指将两个硅片直接结合的封装技术。这项技术省去了传统芯片连接中所需的“凸点”（Bump），使得电路路径变得更短，从而提高性能和散热特性。特别是将整个硅片直接结合的W2W技术，也有助于提高生产效率。

过去，三星电子通常在单个硅片上布置控制电路（Peripheral），然后在其上堆叠存储单元，这种方式被称为COP（Cell on Peripheral）。但当NAND堆叠超过400层时，底部的控制电路承受的压力增大，会影响NAND的可靠性。

因此，三星电子决定在V10 NAND中采用将存储单元和控制电路分别在不同硅片上制造，然后通过混合键合将它们合并的技术。

选择“许可协议”而非规避

然而，这一计划的实现面临着主要来自现有海外企业的专利问题。3D NAND的混合键合技术是中国最大NAND制造商YMTC在大约四年前首次应用的。YMTC将这项技术命名为“Xtacking”。

在创业初期，YMTC通过与美国科技公司Xperi签署许可协议获得了混合键合技术的原始专利。随后，YMTC还在NAND封装技术方面建立了相当多的自主专利。

因此，三星电子与YMTC签署了混合键合专利的许可协议。三星电子选择通过达成共识来避免专利风险，而不是冒险规避，这一策略旨在加速技术开发的进程。然而，是否与Xperi等其他公司进行专利谈判，目前尚未确认。

知情人士表示：“混合键合相关的技术专利，Xperi、YMTC和台积电TSMC三家公司几乎拥有了大部分专利。三星电子也判断，未来在V10、V11、V12等下一代NAND开发中，规避YMTC的专利几乎不可能，因此选择了签署许可协议。”

对于三星来说，这一技术突破解决了下一代NAND开发中的“核心难题”。韩媒认为，但三星或面临市场主导权丧失的风险，以及由于专利使用可能导致的技术依赖等忧虑。

SK海力士有望跟进

去年年底就有报道称三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND闪存技术，并已开始将该技术转移到大规模生产线。

这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND的SK海力士。

目前，三星在全球NAND闪存市场市占率为36.9%，面对SK海力士的竞争，三星的这一突破显得尤为重要。

SK海力士当然不甘于此，据传也有可能与YMTC签署专利协议。

此前，SK海力士副社长金春焕在2024年2月的“Semicon Korea 2024”大会上表示：“我们正在开发一种新平台，在400层级NAND产品中通过混合键合技术提高经济性和量产性。”

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来源：芯榜